【摘要】一種用于寫入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)裝 置的存儲器單元的方法連續包括：在第一方向提供第一磁場； 在大體上與所述第一方向正交的第二方向提供第二磁場；關閉 所述第一磁場；在與所述第一方向相反的第三方向提供第三磁 場；關閉所述第二
【摘要】 一種微影光罩及其制造方法與使用上述兩者制 造的半導體元件包括一個位于獨立或半獨立區域的設計特征， 以及復數個垂直于設計特征的平行線型輔助特征。這些平行線 型輔助特征包括位于設計特征兩邊的兩組平行輔助特征。第一 組平行輔助特征位于設計特征的第一邊上，且垂直于設計特 征。第二組平行輔助特征位于設計特征的第二邊上，且垂直于 設計特征。上述的附加的輔助特征改善了獨立及半獨立特征結 構的焦深與解析度，并降低光罩錯誤增強因子的產生。 數據由整理 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610140406.5 【申請日】2006-09-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1959528A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】G03F1/00 【發明人】嚴永松; 陳桂順; 賴建文; 蔡澄賢 【主權項內容】1、一種微影光罩，其特征在于其至少包括： 一設計特征，位于光罩上的獨立或半獨立區域；以及 復數個平行線型輔助特征，垂直于該設計特征。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 【被引證次數】1 【被他引次數】1.0 【家族被引證次數】1
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