【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】一詮精密工業(yè)股份有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】臺灣省臺北縣【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】臺灣省【申請?zhí)枴緾N200630008459.2【申請日】2006-03-24【申請年份】2006【公開公告號
【摘要】 本發(fā)明提出一種半導體存儲器之電容器結(jié)構(gòu)的制備方法，其首先形成開口于介電結(jié)構(gòu)中，且于該開口之內(nèi)壁依次形成第一導電層、介電層及第二導電層而形成柱狀電容器于該開口中。其次，進行蝕刻工藝以局部去除該第一導電層之上部使得該第一導電層之上端低于該第二導電層之上端，且去除該介電結(jié)構(gòu)之預定部分。之后，形成覆蓋該柱狀電容器及該介電結(jié)構(gòu)之介電層以電氣隔離該第一導電層與該第二導電層，并去除該第二導電層上之介電層以及形成電連接該第二導電層之上端的第三導電層。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】茂德科技股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省新竹市科學工業(yè)園區(qū)力行路十九號三樓 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610072679.0 【申請日】2006-04-07 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101051625A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100483689C 【授權(quán)公告日】2009-04-29 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】陳昱企; 楊能輝; 陳錫杰 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種半導體存儲器之電容器結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是包含下列步 驟： 形成開口于介電結(jié)構(gòu)中； 形成柱狀電容器于該開口中，包含： 形成第一導電層于該開口之內(nèi)壁； 形成第一介電層于該第一導電層表面；及 形成第二導電層于該第一介電層表面； 電氣隔離該第一導電層與該第二二導電層；以及 形成電連接該第二導電層之上端的第三導電層。 【當前權(quán)利人】長遼控股責任有限公司 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2
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