【摘要】本實(shí)用新型公開了一種薄膜按鍵及其彈性導(dǎo)電片結(jié)構(gòu)。包括：一電路基板，端面設(shè)有至少一電氣接點(diǎn)；至少一彈性導(dǎo)電片，對應(yīng)該電氣接點(diǎn)配置，在面向該電氣接點(diǎn)的中央部位一端面上設(shè)有一觸發(fā)部，該觸發(fā)部具有五電氣接觸突點(diǎn)。上述彈性導(dǎo)電片對應(yīng)該電氣接點(diǎn)
【摘要】 本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)裝置、非易失性存儲(chǔ)裝置以 及微處理系統(tǒng)。所述存儲(chǔ)裝置，包括第一存儲(chǔ)單元陣列、第二 存儲(chǔ)單元陣列以及第三存儲(chǔ)單元陣列。第一存儲(chǔ)單元陣列是用 以儲(chǔ)存至少一碼。第二存儲(chǔ)單元陣列是用以儲(chǔ)存較碼為更常更 新的至少一數(shù)據(jù)。第三存儲(chǔ)單元陣列是用以儲(chǔ)存多個(gè)地址映射 信息，地址映射信息是用以指出第二存儲(chǔ)單元陣列中存儲(chǔ)單元 所對應(yīng)的位置的信息。第二存儲(chǔ)單元陣列大體較第一存儲(chǔ)單元 陣列可持續(xù)更多的程序周期。本發(fā)明將高持久存儲(chǔ)單元與一般 存儲(chǔ)單元結(jié)合可將非易失性存儲(chǔ)裝置的使用面積以及成本最 佳化。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號(hào) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺(tái)灣省 【申請?zhí)枴緾N200610104374.3 【申請日】2006-08-10 【申請年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1913039A 【公開公告日】2007-02-14 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100444283C 【授權(quán)公告日】2008-12-17 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】G11C16/02; G11C11/56; G11C16/06 【發(fā)明人】池育德; 王清煌 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種存儲(chǔ)裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)裝置包括： 一第一存儲(chǔ)單元陣列，用以儲(chǔ)存至少一碼； 一第二存儲(chǔ)單元陣列，用以儲(chǔ)存至少一數(shù)據(jù)，上述數(shù)據(jù)是較 上述碼為更常更新；以及 一第三存儲(chǔ)單元陣列，用以儲(chǔ)存多個(gè)地址映射信息，上述地 址映射信息是用以指出上述第二存儲(chǔ)單元陣列中至少一存儲(chǔ)單元 所對應(yīng)的至少一位置的信息； 其中上述第二存儲(chǔ)單元陣列較上述第一存儲(chǔ)單元陣列可持續(xù) 更多的程序周期。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號(hào) 【家族引證次數(shù)】13.0
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