【摘要】形成非易失性存儲單元的方法，其包括：(a)提供 一個至少有兩個源極漏極區的半導體襯底，以及一種介質材料 沉積于該襯底的至少兩個源極漏極區的至少一區上方，其中該 介質材料有一裸露表面，且該至少兩個源極漏極區被一個有裸 露表面的凹槽分開
【摘要】 一種存儲器控制器及其相關方法，所述存儲器控制器包含有：一第一數據轉換器，用來將一輸入數據轉換成一第一數據，其中該輸入數據的位寬與該第一數據的位寬對應于一第一比例；一第二數據轉換器，用來將該輸入數據轉換成一第二數據，其中該輸入數據的位寬與該第二數據的位寬對應于一第二比例；以及一第一選擇器，耦接于該第一、第二數據轉換器，用來依據一存儲器模式設定將該第一數據或該第二數據輸出至一存儲器裝置。本發明的存儲器控制器可以降低存儲控制器與控制系統的制造成本，有效地降低所需芯片尺寸，并且增加優良率。 -官網 【專利類型】發明申請 【申請人】聯發科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610162765.0 【申請日】2006-11-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101055756A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【發明人】黃祥毅; 黃大倫 【主權項內容】1.一種存儲器控制器，其特征在于包含有： 一第一數據轉換器，用來將一輸入數據轉換成一第一數據，該輸入數據 的位寬與該第一數據的位寬是對應于一第一比例； 一第二數據轉換器，用來將該輸入數據轉換成一第二數據，該輸入數據 的位寬與該第二數據的位寬是對應于一第二比例；以及 一第一選擇器，耦接于該第一、第二數據轉換器，用來依據一存儲器模 式設定將該第一數據或該第二數據輸出至一存儲器裝置。 【當前權利人】聯發科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業園區 【家族被引證次數】5
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