【摘要】本發(fā)明公開了一種制作微型連接器的方法。提供晶片，在其第一表面形成一介電層。將介電層固定于承載晶片，并進行薄化工藝。將其第二表面固定于承載晶片，并在介電層上形成導(dǎo)線圖案。在介電層與導(dǎo)線圖案上形成絕緣層，去除部分絕緣層暴露出導(dǎo)線圖案，并
【摘要】 本實用新型為一種真空腔的改進結(jié)構(gòu)，用于半導(dǎo)體機臺的晶圓定位，其中該機臺所使用的載盤，可共用于沉積制程機臺與蝕刻制程機臺，當(dāng)用于蝕刻制程機臺時，可以提供較精準的晶圓定位。此改進的真空腔中包括一制程室、一承載裝置、一晶圓載盤、以及一繞環(huán)。承載裝置設(shè)置于制程室內(nèi)。晶圓載盤設(shè)置于承載裝置上，且晶圓載盤之頂面具有一環(huán)狀凹槽。繞環(huán)可以選擇性設(shè)置于環(huán)狀凹槽中。本實用新型沉積制程機臺與蝕刻制程機臺的載盤能夠共用，則顯然可以節(jié)省制造成本，另外，在蝕刻制程時可以解決晶圓定位不精準的問題。 【專利類型】實用新型 【申請人】聯(lián)萌科技股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹縣竹北市光明六路47號9樓 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200620119833.0 【申請日】2006-08-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200983358Y 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN200983358Y 【授權(quán)公告日】2007-11-28 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】H01L21/683; H01L21/3065; H01L21/20; H01L21/00; C23F4/00; C23C14/50; C23C16/458; H01L21/67; H01L21/02 【發(fā)明人】劉相賢 【主權(quán)項內(nèi)容】權(quán)利要求書 1.一種真空腔的改進結(jié)構(gòu)，其中包括： 一制程室； 一承載裝置，設(shè)置于該制程室內(nèi)； 一晶圓載盤，設(shè)置于該承載裝置上，其特征在于，該晶圓載盤具 有一環(huán)狀凹槽； 一繞環(huán)，選擇性地設(shè)置于該環(huán)狀凹槽中。 【當(dāng)前權(quán)利人】力鼎精密股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣苗栗縣竹南鎮(zhèn)科義街39號 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2
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