【摘要】一種磁吸式關(guān)門器，由一定位座及一定位片所組成，該定位座用以填裝于關(guān)門器其氣壓缸前端，其具有一中央穿孔供氣壓缸伸縮臂穿出；在其座面設(shè)有一落差區(qū)以構(gòu)成一擋止堤，于該落差區(qū)植設(shè)有一磁性體；該定位片為一具有類似L形曲折段的曲狀片體，于其一端
【摘要】 本發(fā)明公開了一種制作微型連接器的方法。提供晶片，在其第一表面形成一介電層。將介電層固定于承載晶片，并進(jìn)行薄化工藝。將其第二表面固定于承載晶片，并在介電層上形成導(dǎo)線圖案。在介電層與導(dǎo)線圖案上形成絕緣層，去除部分絕緣層暴露出導(dǎo)線圖案，并去除部分介電層與晶片，使晶片分割為多個微型連接器。所述方法有效避免晶片薄化所造成的污染問題。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】探微科技股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣桃園縣 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610082731.0 【申請日】2006-05-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101075721A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100536259C 【授權(quán)公告日】2009-09-02 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】邱銘彥 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種制作微型連接器的方法，包括： 提供晶片，所述晶片包括第一表面與一第二表面； 在所述晶片的所述第一表面上形成介電層； 利用第一黏著層接合所述介電層與承載晶片； 進(jìn)行薄化工藝，由所述晶片的所述第二表面薄化所述晶片； 移除所述第一黏著層，并將利用第二黏著層接合所述晶片的所述第二表 面與所述承載晶片； 在所述介電層上形成導(dǎo)線圖案； 在所述介電層與所述導(dǎo)線圖案上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成屏蔽圖案，所述屏蔽圖案包括對應(yīng)于所述導(dǎo)線圖案 的多個第一開口，以及定義出切割道圖案的多個第二開口； 去除所述第一開口暴露出的所述絕緣層，以暴露出所述導(dǎo)線圖案，并去 除所述第二開口所暴露出的所述絕緣層、所述介電層與所述晶片，使所述晶 片分割為多個微型連接器； 移除所述屏蔽圖案；以及 移除所述第二黏著層。 【當(dāng)前權(quán)利人】探微科技股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣桃園縣 【被引證次數(shù)】2 【被他引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2
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