【摘要】本發明提供一種健康狀況的分析與管理的方法、網絡平臺及其手機，該方法包括：接收患者所提供的身體狀況數據；取得患者的位置數據；依據該位置數據取得一環境數據；以及依據該環境數據分析比對該身體狀況數據，以產生至少一個分析數據。本發明可提供患
【摘要】 本發明公開了一種具有埋入的擴散間隔物的氮 化物只讀存儲器的制造方法。氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)層 沉積在硅襯底上，并且多晶硅柵極形成在氧化硅/氮化硅/氧化 硅(O/N/O)層之上。兩個埋入的擴散間隔物形成在多晶硅柵極 側壁的兩側以及氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)層之上。兩個埋 入的擴散區通過離子注入形成在硅襯底內靠近于這兩個埋入 的擴散間隔物處。這兩個埋入的擴散區然后通過熱退火使該埋 入的擴散區的大致界面位于該多晶硅柵極的側壁之下。本發明 還公開了一種具有埋入的擴散間隔物的氮化物只讀存儲器結 構。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610141533.7 【申請日】2006-09-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1949539A 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1949539B 【授權公告日】2012-08-29 【授權公告年份】2012.0 【IPC分類號】H01L29/78; H01L27/115; H01L21/336; H01L21/8247; H01L29/66; H01L21/02; H01L21/70 【發明人】劉建宏 【主權項內容】1、一種存儲元件，包含： 硅襯底，其具有第一和第二埋入的擴散區； 氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)層，其限定在該硅襯底上； 多晶硅柵極，其覆蓋在介于該第一和第二埋入的擴散區之間的該 氧化硅/氮化硅/氧化硅(O/N/O)層之上，該多晶硅柵極具有第一端和第 二端，該多晶硅柵極在該第一和第二埋入的擴散區之間延伸一定的長 度，所以該多晶硅柵極的該第一端和該第二端位于該第一和第二埋入 的擴散區之間的大致界面之上；以及 分別位于該多晶硅柵極的該第一端和該第二端旁邊的第一和第 二絕緣間隔物。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【家族引證次數】16.0
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776580874.html
喜歡就贊一下
