【摘要】一種多角度定位的棘輪扳手，包含一個握柄單元、一個樞設在該握柄單元上的驅動頭及一個設置在該握柄單元與該驅動頭樞接處的定位單元，該定位單元具有數個設于該驅動頭的一個定位面上的定位凹孔及一個與所述定位凹孔相對且設置在該握柄單元的一內側面上
【摘要】 一種溝槽電容結構，包括一半導體基底；一電容深溝槽，形成于該半導體基底中；一領氧化層，設于該電容深溝槽的內壁上，其中該領氧化層于該電容深溝槽底部具有一開口，暴露出該電容深溝槽底部；一第一摻雜多晶硅層，設于該領氧化層及該電容深溝槽底部上；一電容介電層，設于該第一摻雜多晶硅層上；一第二摻雜多晶硅層，設于該電容介電層上，且該第二摻雜多晶硅層填滿該電容深溝槽；一深離子井，通過該電容深溝槽底部與該第一摻雜多晶硅層電連接；及一柵極絕緣層，設于該第二摻雜多晶硅層及該淺溝絕緣結構上。 【專利類型】發明申請 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610077721.8 【申請日】2006-04-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101064282A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100466231C 【授權公告日】2009-03-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/8242; H01L27/108; H01L21/70 【發明人】林永昌; 簡山杰; 郭建利; 李瑞池 【主權項內容】1、一種溝槽電容動態隨機存取存儲器元件的制作方法，包括： 提供半導體基底，其上形成有淺溝絕緣結構； 于該半導體基底上形成墊氧化層以及墊氮化硅層； 進行蝕刻工藝，于該墊氮化硅層、該墊氧化層以及該半導體基底中蝕刻 出電容深溝槽； 于該電容深溝槽的內壁上形成領氧化層； 蝕刻位于該電容深溝槽底部的該領氧化層，暴露出該電容深溝槽底部； 于該領氧化層及該電容深溝槽底部上形成第一摻雜多晶硅層，其中該第 一摻雜多晶硅層作為電容下電極； 于該第一摻雜多晶硅層上形成電容介電層； 于該電容介電層上形成第二摻雜多晶硅層，且使該第二摻雜多晶硅層填 滿該電容深溝槽，其中該第二摻雜多晶硅層作為電容上電極； 剝除該墊氮化硅層； 進行離子注入工藝，于該半導體基底中形成深離子井，使該深離子井通 過該電容深溝槽底部與該第一摻雜多晶硅層電連接；以及 于該第二摻雜多晶硅層及該淺溝絕緣結構上形成柵極絕緣層。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】20 【被自引次數】2.0 【被他引次數】18.0 【家族引證次數】8.0 【家族被引證次數】20
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