【摘要】本實用新型為一種電子連接器，主要包括一公座體及一母座體，該公座體的插接部具有一削斜面，而母座體則在導接槽內設有一可呈相互匹配楔合的斜面凸塊，因此使公座體的插接部為削薄狀，且可相應插入母座體，利用插接部的削斜面與導接槽的斜面凸塊形成匹
【摘要】 本發明提供一種半導體結構的形成方法及電阻，特別涉及一種去耦合淺摻雜源/漏極區和袋狀注入區的形成方法。上述方法包括：提供一半導體晶片，其包含多個主動區。于上述主動區中形成多個柵極結構。利用一N－淺摻雜源/漏極光罩，形成多個N－淺摻雜源/漏極區于上述半導體晶片上。利用一N－袋狀注入光罩，形成多個N－袋狀注入區于上述半導體晶片上。利用一P－淺摻雜源/漏極光罩，形成多個P－淺摻雜源/漏極區于上述半導體晶片上；以及利用一P－袋狀注入光罩，形成多個P－袋狀注入區于上述半導體晶片上。本發明所提供的半導體結構的形成方法及電阻，可以降低模擬MOS元件之間的失配，并提升其本征增益。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610145740.X 【申請日】2006-11-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101068007A 【公開公告日】2007-11-07 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100539077C 【授權公告日】2009-09-09 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/8238; H01L27/092 【發明人】俞正明; 趙治平; 張智勝; 陳俊宏 【主權項內容】1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，所述半導體結 構的形成方法包括下列步驟： 提供一半導體晶片，其包含多個主動區； 于該主動區中形成多個柵極結構； 利用一N-淺摻雜源/漏極光罩，形成多個N-淺摻雜源/漏極 區于該半導體晶片上； 利用一N-袋狀注入光罩，形成多個N-袋狀注入區于該半導 體晶片上，其中N-袋狀注入區為p型，以及其中該N-淺摻雜源/ 漏極光罩與該N-袋狀注入光罩為不同光罩； 利用一P-淺摻雜源/漏極光罩，形成多個P-淺摻雜源/漏極 區于該半導體晶片上；以及 利用一P-袋狀注入光罩，形成多個P-袋狀注入區于該半導 體晶片上，其中P-袋狀注入區為n型，以及其中該P-淺摻雜源/ 漏極光罩與該P-袋狀注入光罩為不同光罩。 ： 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】5 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】13.0 【家族被引證次數】9
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