【摘要】本發明提出一種半導體元件，由復合結構與接觸窗所組成。其中，復合結構由下而上包括一下電極、一絕緣層與一上電極。接觸窗則是電連接上電極與下電極。復合結構可作為電阻器，利用接觸窗將上電極與下電極電連接，使得電流的路徑加倍，進而提高其電阻值
【摘要】 本發明公開一種半導體封裝件及其呈陣列排列的基片結構與制法，該半導體封裝件包括：基片單元，該基片單元至少有部分邊緣形成凹槽，且該凹槽中填充有填充料；半導體芯片，接置并電性連接到該基片單元；以及封裝膠體，形成于該基片單元上，包覆該半導體芯片。本發明的半導體封裝 件及其呈陣列排列的基片結構與制法在封裝完成后沿基片單元間切割時，使切割路徑通過該槽孔填充料或封裝膠體，可預先進行各基片單元的電性檢測，避免后續完成置晶及封裝步驟再進行電性檢測時，發現不良品導致工序材料浪費及成本提高等問題，同時切割面平整，切割斷面上不會外露導電線路，避免在切割面上露出導電線路造成靜電破壞、濕氣侵入等問題。 【專利類型】發明申請 【申請人】矽品精密工業股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺中縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610153821.4 【申請日】2006-09-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101064261A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/50; H01L23/498 【發明人】黃建屏; 陳建志; 蔡育杰 【主權項內容】1.一種半導體封裝件的制法，其特征在于，該半導體封裝件的制法 包括： 提供一基片，該基片包括：多個呈陣列排列的基片單元，該基片 單元間設有電鍍總線，且在該基片單元中設有電性連接墊，以及電性 連接該電性連接墊與電鍍總線的導電線路，通過該電鍍總線及導電線 路在該電性連接墊上形成電鍍金屬層； 在各該基片單元間形成槽孔，且該槽孔切斷該導電線路與電鍍總 線間的連接關系； 進行填膠及烘干步驟，在該槽孔中填充絕緣膠并烘干該絕緣膠； 進行置晶步驟，在各該基片單元上接置并電性連接半導體芯片； 進行封裝模壓步驟，在該基片上形成覆蓋該半導體芯片的封裝膠 體；以及 進行切割步驟，沿各該基片單元間進行切割，其切割路徑通過該 槽孔，形成多個半導體封裝件。 【當前權利人】矽品精密工業股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺中縣 【引證次數】7.0 【被引證次數】11 【自引次數】3.0 【他引次數】4.0 【被自引次數】1.0 【被他引次數】10.0 【家族引證次數】7.0 【家族被引證次數】11
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