【摘要】一種液晶顯示器，其包括背光模塊、液晶面板及前框，且背光模塊包括金屬背板、導光板、反射罩、光源及膠框。導光板是設置于金屬背板內，而導光板具有光入射面、光出射面以及側面，其中側面與光出射面相連。反射罩是設置于金屬背板內，并位于導光板的光
【摘要】 一種金屬氧化物半導體場效應晶體管的制造方法。首先提供一基底，基底上已形成有柵極結構，之后，移除部分基底，以于柵極結構兩側的基底中形成第一凹陷。接著，于第一凹陷中沉積源極與漏極延伸層，并于柵極結構兩側形成間隙壁。然后，移除部分源極與漏極延伸層及部分基底，以于間隙壁以外的源極與漏極延伸層及部分基底中形成第二凹陷。然后，于第二凹陷中沉積源極與漏極層。因為源極與漏極延伸層及源極與漏極層具有特定的材料與結構，所以能夠改善短溝道效應，并使此金屬氧化物半導體場效應晶體管具有優異的效能。 ： 【專利類型】發明申請 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610081826.0 【申請日】2006-05-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101071774A 【公開公告日】2007-11-14 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN101071774B 【授權公告日】2010-12-08 【授權公告年份】2010.0 【發明人】蔡振華; 藍邦強; 林育信; 劉毅成; 蔡成宗 【主權項內容】1.一種金屬氧化物半導體場效應晶體管的制造方法，包括： 提供基底，該基底上已形成柵極結構； 移除該柵極結構兩側的部分該基底，以形成第一凹陷； 于該第一凹陷中沉積源極與漏極延伸層； 于該柵極結構兩側形成間隙壁； 移除該間隙壁以外的該源極與漏極延伸層及部分該基底，以形成第二 凹陷；以及 于該第二凹陷中沉積源極與漏極層。。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】14 【被他引次數】14.0 【家族被引證次數】14
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