【摘要】本發(fā)明是有關于一種制造應變硅半導體元件的 方法，藉以改善磊晶薄膜厚度的不受歡迎的變異。評估本發(fā)明 所提出的半導體元件的布局與元件配置，以決定相對較低或較 高元件密度的區(qū)域，來決定局部負載效應的缺陷是否可能發(fā) 生。若是如此，則產生適合
【摘要】 本實用新型有關一種門內板，包括一低密度板 材、第一、二、三、四實木板材及實木頂、底層，低密度板材 具有頂面、底面、第一、二、三、四側面，第一、二側面與第 三、四側面的間距分別構成低密度板材的第一、二距離，第一、 二實木板材分別固定在第一、二側面，且寬度均小于第一距離， 第三實木板材固定在第三側面及第一、二實木板材側面，第四 實木板材固定在第四側面及第一、二實木板材另一側面，第三、 四實木板材寬度均小于第二距離，實木頂層同時固定在低密度 板材頂面及第一、二、三、四實木板材頂面，實木底層同時固 定在低密度板材底面及第一、二、三、四實木板材底面上。其 將多數實木板材環(huán)繞在一層低密度板材外側，可達到吸收溫度 變化熱漲冷縮功效，保持原本結合狀態(tài)。 【專利類型】實用新型 【申請人】鍾旻儒 【申請人類型】個人 【申請人地址】中國臺灣 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200620001749.9 【申請日】2006-02-06 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2890282Y 【公開公告日】2007-04-18 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN2890282Y 【授權公告日】2007-04-18 【授權公告年份】2007.0 【IPC分類號】E06B3/74; E06B3/96; E06B3/72 【發(fā)明人】鍾旻儒 【主權項內容】1、一種門內板，包括一低密度板材、一第一實木板材、一第二實木板 材、一第三實木板材、一第四實木板材、一實木頂層，及一實木底層，其特 征在于： 該低密度板材，具有相背設置的一頂面及一底面、相背設置的一第一側 面及一第二側面，及相背設置的一第三側面及一第四側面，該第一側面、該 第二側面、該第三側面和該第四側面分別鄰接于該頂面與該底面之間，該第 一、二側面的間距構成該低密度板材的一第一距離，該第三、四側面的間距 構成該低密度板材的一第二距離； 該第一實木板材，固定在該低密度板材的第一側面上，且寬度小于該低 密度板材的第一距離； 該第二實木板材，固定在該低密度板材的第二側面上，且寬度小于該低 密度板材的第一距離； 該第三實木板材，固定在該低密度板材的第三側面、該第一實木板材 的一側面及該第二實木板材的一側面上，該第三實木板材的寬度小于該低 密度板材的第二距離； 該第四實木板材，固定在該低密度板材的第四側面，及該第一實木板 材的另一側面及該第二實木板材的另一側面上，該第四實木板材的寬度小 于該低密度板材的第二距離； 該實木頂層，同時固定在該低密度板材的頂面、該第一實木板材的一頂 面、該第二實木板材的一頂面、該第三實木板材的一頂面及該第四實木板 材的一頂面上；以及 該實木底層，同時固定在該低密度板材的底面、該第一實木板材的一底 面、該第二實木板材的一底面、該第三實木板材的一底面及該第四實木板 材的一底面上。 【當前權利人】鍾旻儒 【當前專利權人地址】中國臺灣
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