【摘要】 。本實用新型公開一種高爾夫球桿頭，其包括一本體與一打擊面板。本體具有一開口，打擊面板配置于開口處。其中，打擊面板具有一曝露于外的打擊面、一與打擊面彼此相對的非打擊面以及多條分布于非打擊面上的凸肋。打擊面板的厚度介于1.5～4毫米之
【摘要】 本發明公開了一種制造納米碳管場效晶體管的方法，包括以下步驟：形成一圖案化導電層于一基板上；形成一介電層以覆蓋該導電層以及該基板；在該介電層上，形成一納米碳管層于一對電極之間；以及對該納米碳管層進行一處理程序，使得該納米碳管層為半導體型。本發明提供一種制造納米碳管場效晶體管的方法，在納米碳管形成之后通過對于納米碳管進行處理以將金屬型納米碳管轉換成半導體型納米碳管，而應用于場效晶體管、傳感器與有機晶體管等領域，以確保芯片的質量并且提高產能。 該數據由<>整理 【專利類型】發明申請 【申請人】財團法人工業技術研究院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】中國臺灣新竹縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610161736.2 【申請日】2006-12-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017784A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/336; H01L29/78; H01L51/40; H01L51/05; H01L21/02; H01L29/66 【發明人】陳百宏; 魏拯華; 駱伯遠; 斐靜偉 【主權項內容】1.一種納米碳管場效晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟： 形成一圖案化導電層于一基板上； 形成一介電層以覆蓋該導電層以及該基板； 在該介電層上，形成一納米碳管層于一對電極之間；以及 對該納米碳管層進行一處理程序，使得該納米碳管層為半導體型。 【當前權利人】財團法人工業技術研究院 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹縣 【被引證次數】1 【被他引次數】1.0 【家族被引證次數】1
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