【摘要】公開了一種數據庫安全訪問方法和系統，以提供 更高的數據庫安全性。該系統包括：數據庫，用于存儲數據源； 通過第一網絡與數據庫連接的客戶端，用于發起認證請求，和 在認證通過的情況下訪問數據庫；通過第一網絡與客戶端連接 且通過第二網絡與數
【摘要】 本發明涉及半導體材料與器件技術領域，特別是半導體InN薄膜材料的制備方法。在襯底上生長完InN薄膜之后，再在上面生長一層易于去除的、熔點和分解溫度都高于InN材料的可在低溫下生長的材料，我們稱這層材料為蓋層；接下來在氮氣和氨氣保護下對上面得到的外延片進行退火處理；最后去除上面生長的蓋層和蓋層與InN材料之間的互擴散層。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610067134.0 【申請日】2006-04-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101051608A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【發明人】張日清; 康亭亭; 劉祥林 【主權項內容】1.一種獲取高質量InN薄膜的方法，其步驟特征如下： InN薄膜生長完以后，緊接著在其上面生長一層，稱這一層為蓋層， 易于去掉的、熔點和分解溫度都高于InN的可在低溫下生長蓋層的材料， 生長溫度在300-500℃；接下來在氮氣和氨氣保護下對上面得到的外延片 進行退火處理，最后去除上面所加的蓋層和蓋層與InN之間的互擴散層。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】2 【被他引次數】1.0 【家族被引證次數】2
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