【摘要】本發明公開了一種制造納米碳管場效晶體管的方法，包括以下步驟：形成一圖案化導電層于一基板上；形成一介電層以覆蓋該導電層以及該基板；在該介電層上，形成一納米碳管層于一對電極之間；以及對該納米碳管層進行一處理程序，使得該納米碳管層為半導體
【專利類型】外觀設計 【申請人】北京藥谷傳奇醫藥科技開發有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100088北京市海淀區知春路20號中國醫藥大廈819室 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200630021768.3 【申請日】2006-05-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3628051D 【公開公告日】2007-04-04 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3628051D 【授權公告日】2007-04-04 【授權公告年份】2007.0 【發明人】楊敦國 【主權項內容】無 【當前權利人】北京藥谷傳奇醫藥科技開發有限公司 【當前專利權人地址】北京市海淀區知春路20號中國醫藥大廈819室 【專利權人類型】有限責任公司(自然人投資或控股) 【統一社會信用代碼】91110108762987622H
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