【摘要】本發明涉及一種能夠同時讀寫數據的圖像處理 裝置及處理方法，該裝置包括雙端口存儲器、存儲控制器，其 中所述雙端口存儲器包括端口A和端口B，其特征在于，所述 存儲控制器包括端口A寫控制電路，端口B讀控制電路；所 述端口A寫控制電路連接至
【摘要】 本發明屬于CMOS電平轉換用的觸發器技術領 域，其特征在于其特征在于，該觸發器含有條件開關，條件放 電電路，保持電路，數據鎖存電路，時鐘脈沖電路和狀態信號 輸出電路，其中條件開關根據輸出反饋信號和輸入數據信號控 制內部節點電荷的放電，消除冗余翻轉；數據鎖存電路通過狀 態反饋來控制充放電的條件，同時鎖存數據；時鐘脈沖電路控 制觸發器只在時鐘的上升沿的瞬間打開，消除在時鐘高電平期 間數據發生變化帶來的錯誤翻轉；由于采用了輸出反饋和消除 冗余翻轉機制，因此本發明具有低功耗，低泄露電流的特點。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610114284.2 【申請日】2006-11-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1953325A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【發明人】林賽華; 楊華中; 汪蕙 【主權項內容】1，條件放電且脈沖驅動的CMOS電平轉換半動態觸發器，其特征在于，該觸發器含有條件開 關，條件放電電路，保持電路，數據鎖存電路，時鐘脈沖電路和狀態信號輸出電路，其中： 條件放電電路，由PMOS管p1，NMOS管n3，NMOS管n2，NMOS管n1依次串聯而成， 該p1罐的源極接高擺幅的電源電壓VDDH，n1管的源極接地，n2的柵極接clk，n1的柵極接 clkN， 條件開關，由NMOS管n5，n4組成，該n5管的源極和n4管的源極相連，接到n3管的柵 極，該n5管的漏極接輸入信號D，n5管的柵極接輸出反饋信號HQN，該n4管的漏極接輸入 地信號0，該n4管的柵極接輸出反饋信號HQ， 保持電路，由反相器inv1和PMOS管p2組成，該反相器的輸入接內部節點X，而輸出 接p2管的柵極，p2管的源極接VDDH，p2管的漏極接X， 數據鎖存電路，由PMOS管p3，NMOS管n8，n7，n6依次串聯而成，其中，p3關的柵 極接內部節點X，p3管的漏極接輸出信號HQ，p3管的源極接VDDH，n8的柵極接D信號的 反相信號DN，n7的柵極接時鐘信號clk，n6的柵極接clkN， 時鐘脈沖電路，由反相器inv2，inv3，inv4依次串聯而成，其中inv2的輸入為clk，inv4 的輸出為clkN， 狀態信號輸出電路，由反相器inv5和inv6反方向并聯而成，反相器inv5的輸出和反相 器inv6的輸入相連形成信號HQN，反相器inv5的輸入和反相器inv6的輸出相連形成信號 HQ， 上述所有PMOS管的襯底接電源電壓VDDH，所有NMOS管的襯底接地，反相器inv1， inv5，inv6的電源電壓為VDDH，反相器inv2，inv3，inv4的電源電壓為VDDL。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084－82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】4 【家族被引證次數】4
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