【摘要】本發明涉及視頻編碼器中一種快速的塊讀取模塊，屬于信號處理中的視頻編碼領域。該模塊包括：參考圖像數據存儲器，二維的塊寄存器陣列；參考圖像數據存儲器的輸出端同時與二維的塊寄存器陣列的最上一行寄存器輸入端口、最下一行寄存器輸入端口相連。其
【摘要】 一種雙頻率高溫光柵的制作方法，屬于光測力學 技術領域。本發明的技術特點是在聚焦離子束顯微鏡這一成熟 商品儀器環境下完成雙頻率高溫光柵的制作，該方法操作簡 單、靈活、容易實現。通過調整聚焦離子束顯微鏡系統的放大 倍數、束流強度、刻蝕深度、線間距等參數并利用系統自身的 精密定位系統，在試件表面，或者在金屬鍍膜上制作出可變密 度、可變深度的單向光柵、正交光柵及雙頻光柵，適用于各種 溫度環境下，各種基體材料微觀變形行為的研究。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610113298.2 【申請日】2006-09-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1924622A 【公開公告日】2007-03-07 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100470266C 【授權公告日】2009-03-18 【授權公告年份】2009.0 【發明人】謝惠民; 杜華; 郭智強; 方岱寧; 戴福隆 【主權項內容】1.一種雙頻光柵的制作方法，其特征在于該方法包括如下步驟： 1)將試件切割成所需要的形狀，經清洗、拋光后，將試件平放在聚焦離子束顯微鏡的 載物臺上，使鍍有金屬薄膜的表面朝上，在聚焦離子束顯微鏡的操作環境下利用高能離子束 對金屬鍍膜表面進行單一方向低頻光柵的刻蝕；光柵的頻率由掃描線間距確定，掃面線間距 最低可調至50nm，光柵的刻蝕深度由束流強度和刻蝕時間確定，束流強度范圍為1～20000pA； 2)單一方向的低頻光柵刻蝕結束之后，將掃描方向旋轉90°，對金屬鍍膜表面的另一方 向重復步驟1)進行刻蝕，進而得到正交的低頻光柵； 3)低頻光柵刻蝕結束之后，利用定位系統將顯微鏡鏡頭聚焦到預刻蝕高頻光柵的位置， 首先刻蝕單一方向的高頻光柵。高頻光柵的頻率由掃描線間距確定，高頻光柵的刻蝕深度由 束流強度和刻蝕時間確定，掃面線間距最低可調至50nm，光柵的刻蝕深度由束流強度和刻蝕 時間確定，束流強度范圍為1～20000pA； 4)單一方向的高頻光柵刻蝕結束之后，將掃描方向旋轉90°，對金屬鍍膜表面的另一方 向重復步驟3)進行刻蝕，進而得到正交的高頻光柵。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084-82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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