【摘要】本實用新型公開了一種具有減震功能的散熱器，包括本體，呈ㄇ形，所述的本體形成一具有開口部的槽形空間，所述的本體包括在其外表面均勻分布的若干條形的鰭片，在所述本體的兩側設置有減震裝置。本實用新型具有減震效果好、結構簡單、安裝及使用方便的
【摘要】 本發明涉及一種硅納米線陣列的制備方法，屬于 納米材料制備技術領域。所述方法將硅片依次經過丙酮振蕩清 洗、酒精振蕩清洗、酸性清洗液和標準清洗1號溶液處理；然 后將質量百分比濃度范圍為0.01％－0.9％的聚苯乙烯小球溶 液用微量可調移液管滴到步驟1清洗干凈的硅片表面，置于空 氣中自然晾干；再將排好聚苯乙烯小球陣列的硅片經過1－2 分鐘的氧氣氣氛反應離子刻蝕，之后在90℃－110℃保溫1－ 6min，再用真空蒸鍍儀往基底上沉積25－50nm厚的Ag膜； 將沉積好Ag膜的樣品浸入氫氟酸和過氧化氫腐蝕液中腐蝕4 －30分鐘。由于本制備方法簡單，不需要復雜設備就能制備出 大面積有序排布的硅納米線陣列，因此成本低，適宜于規模化 工業生產。 【專利類型】發明申請 【申請人】清華大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100084北京市100084－82信箱 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610089728.1 【申請日】2006-07-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1887687A 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100491233C 【授權公告日】2009-05-27 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】B82B1/00 【發明人】黃智鵬; 朱靜 【主權項內容】1、一種硅納米線陣列的制備方法，其特征在于：該方法采用反應離子刻蝕法使硅片表面 的聚苯乙烯小球直徑減小，所述方法依次按如下步驟進行： (1)硅片依次經過丙酮振蕩清洗、酒精振蕩清洗、酸性清洗液和標準清洗1號溶液處 理，表面顯示良好的親水性； (2)將質量百分比濃度范圍為0.01％-0.9％的聚苯乙烯小球溶液滴加到步驟1清洗干 凈的硅片表面，置于空氣中自然晾干； (3)對硅片表面的聚苯乙烯小球進行1-2分鐘的氧氣氣氛的反應離子刻蝕，使小球的 直徑減小； (4)用真空蒸鍍儀往基底上沉積25-50nm厚的Ag膜； (5)將沉積好Ag膜的樣品浸入H2O2+HF+H2O腐蝕液中處理4-30分鐘。 【當前權利人】清華大學 【當前專利權人地址】北京市100084-82信箱 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400000624D 【引證次數】1.0 【被引證次數】22 【自引次數】1.0 【被自引次數】3.0 【被他引次數】19.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】23
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