【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】航天信息股份有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】100086北京市海淀區(qū)中關(guān)村南大街二號(hào)數(shù)碼大廈A座30層【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】北京市【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630008976.X
【摘要】 采用薄膜硅背表面發(fā)射區(qū)的晶體硅太陽(yáng)能電池 屬于一種新結(jié)構(gòu)的光伏電池。其要點(diǎn)是在N型單晶硅襯底背面 沉積一層硅薄膜形成異質(zhì)PN結(jié)，來(lái)代替常規(guī)的擴(kuò)散法在電池 正面制備的同質(zhì)PN結(jié)。本發(fā)明中沉積的硅薄膜可以是非晶、 微晶、或者納米晶薄膜。本發(fā)明中的異質(zhì)PN結(jié)可以是在N型 單晶硅上直接沉積P型硅薄膜，也可以在N型單晶硅上先沉積 一層本征硅薄膜再沉積P型硅薄膜。采用本發(fā)明中的電池結(jié)構(gòu)， 電池效率可以達(dá)到20％以上。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】北京市太陽(yáng)能研究所有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】100083北京市海淀區(qū)花園路3號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610153054.7 【申請(qǐng)日】2006-09-21 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1949545A 【公開(kāi)公告日】2007-04-18 【公開(kāi)公告年份】2007 【IPC分類號(hào)】H01L31/042; H01L31/072; H01L31/0352; H01L31/0747 【發(fā)明人】勵(lì)旭東; 李海玲; 許穎; 宋爽; 衡揚(yáng) 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征是發(fā)射區(qū)在電池的背面，同時(shí)形成異質(zhì)PN結(jié)。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京市太陽(yáng)能研究所有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)花園路3號(hào) 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(自然人投資或控股) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】911101084006856788 【被引證次數(shù)】12 【被他引次數(shù)】12.0 【家族被引證次數(shù)】12
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