【摘要】本發明涉及一種不需熒光粉轉換的白光GaN發光二極管外延材料及制法，即在藍寶石或SiC襯底上用常規半導體器件沉積技術依次生長初始生長層、本征GaN緩沖層、n型GaN層、InGaN弛豫層、InGaN多量子結構發光層、p型AlGaN夾層和
【摘要】 一種半導體晶片精密化學機械拋光劑，其特征在于，該拋光劑按重量百分比含有以下成分：二氧化氯融合劑1％－10％；pH調節劑3.5％－10％；其余為水；混合、攪拌，形成半導體晶片精密化學機械拋光劑。。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610066889.9 【申請日】2006-03-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101045853A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】C09K3/14; H01L21/304; H01L21/02 【發明人】朱蓉輝; 惠峰; 卜俊鵬; 鄭紅軍; 趙冀 【主權項內容】1、一種半導體晶片精密化學機械拋光劑，其特征在于， 該拋光劑按重量百分比含有以下成分： 二氧化氯融合劑1％-10％； PH調節劑3.5％-10％； 其余為水； 混合、攪拌，形成半導體晶片精密化學機械拋光劑。。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】6 【被自引次數】1.0 【被他引次數】5.0 【家族被引證次數】6
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