【摘要】一種在瀏覽器網頁的動態網頁模塊中的廣告方法，動態網頁模塊包含了用于移動的標題欄，模塊內容部分和模塊的廣告部分，網頁模塊在頁面中的位置可變動，廣告部分隨著動態網頁模塊移動。【專利類型】發明申請【申請人】千橡世紀科技發展(北京)有限公司
【摘要】 本發明涉及一種不需熒光粉轉換的白光GaN發光二極管外延材料及制法，即在藍寶石或SiC襯底上用常規半導體器件沉積技術依次生長初始生長層、本征GaN緩沖層、n型GaN層、InGaN弛豫層、InGaN多量子結構發光層、p型AlGaN夾層和p型GaN層；再用該外延材料制做單管芯白光發光二極管；本方法保留已有普通單色光發光二極管器件制做工藝，僅對生長氮化鎵基發光材料的生長過程進行改進，提高In組分達到形成In量子點，增加一個應力釋放層，在不增加器件復雜性的前提下，從根本上降低了白光發光二極管成本，增加了光出射效率和利用效率，克服了熒光粉轉換而成的白光發光二極管的缺點，提高了白光發光二極管的整體性能。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村南三街8號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610065103.1 【申請日】2006-03-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101038947A 【公開公告日】2007-09-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L33/00; H01L33/04 【發明人】陳弘; 賈海強; 郭麗偉; 周均銘; 王曉暉; 汪洋; 裴曉將 【主權項內容】1、一種不需熒光粉轉換的白光GaN發光二極管外延材料，包括： 一襯底，以及依次覆于襯底表面之上的初始生長層和本征GaN緩沖層，其特 征在于，還包括依次覆于本征GaN緩沖層之上的n型GaN層、InGaN弛豫層、InGaN 多量子結構發光層、p型AlGaN夾層和p型GaN層； 所述襯底為藍寶石或者SiC襯底或硅襯底； 所述初始生長層為AlN層或者GaN層； 所述本征GaN緩沖層為GaN層、AlN層、AlGaN層、InGaN層、InAlN層、 InAlGaN層或者這幾種合金組合而成的在異質襯底上外延的過渡層； 所述n型GaN層為GaN層、AlN層、AlGaN層、InGaN層、InAlN層、InAlGaN 層或者這幾種合金組合的n型歐姆接觸的接觸層； 所述InGaN弛豫層為InzGa1-zN層，其中z為0～0.2； 所述InGaN多量子結構發光層為由勢壘層InyGa1-yN和量子阱層InxGa1-xN組 成的發光二極管的有源層，其中y＜x，0.1＜x＜0.3，0＜y＜0.15；所述量子阱層InxGa1 xN 由量子點和浸潤層組成或者由相分凝而產生的兩個不同組分的量子結構組成； 所述勢壘層InyGa1-yN和量子阱層InxGa1-xN層的摻雜濃度為0～1×1018/cm3，量子 阱的周期數為1～20； 所述p型AlGaN夾層為AlmGa1-mN夾層，其中m為0～0.2； 所述p型GaN層為GaN層、InAlN層、AlGaN層、InAlGaN層或這幾種合 金組合的制備p型歐姆接觸的接觸層。 微信 【當前權利人】中國科學院物理研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區中關村南三街8號 【統一社會信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數】38 【被自引次數】5.0 【被他引次數】33.0 【家族被引證次數】38
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