【摘要】本實用新型涉及一種輪胎式門式起重機手動頂升轉向裝置，它由頂升機構和轉向機構組成，頂升機構包括焊接到平衡梁底面的頂升支架、固定在頂升支架下面倒置的螺旋千斤頂、裝在螺旋千斤頂頂桿上面的方形頂板，轉向機構包括車架、焊到車架上面的限位擋塊、
【摘要】 一種采用干法刻蝕技術實現RTD與HEMT單片集成的方法，包括如：在襯底上依次生長典型的HEMT材料結構和RTD材料結構；光刻出RTD發射區的圖形制備AuGeNi金屬層，形成RTD金屬發射極；光刻，形成有源區；光刻出HEMT的源漏電極；高溫退火；光刻出HEMT柵槽圖形刻蝕掉部分重摻雜帽層；在器件表面淀積生長一層鈍化介質層；光刻出HEMT的柵電極圖形生成TiPtAu金屬作為HEMT器件的柵電極；光刻出引線孔；光刻出引線互連區域，蒸發或濺射厚TiAlTiAu金屬電極，去膠剝離。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610076521.0 【申請日】2006-04-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101064275A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100495682C 【授權公告日】2009-06-03 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/82; H01L21/822; H01L21/84; H01L21/70 【發明人】馬龍; 楊富華; 王良臣; 黃應龍 【主權項內容】1、一種采用干法刻蝕技術實現RTD與HEMT單片集成的 方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1：在襯底上采用分子束外延或金屬有機化學氣相電 極的方法依次生長典型的HEMT材料結構和RTD材料結構； 步驟2：光刻出RTD發射區的圖形，采用蒸發或濺射的方 法制備AuGeNi金屬層，去膠剝離，形成RTD金屬發射極； 步驟3：采用非選擇ICP干法刻蝕技術，以RTD金屬發射 極作為掩蔽，刻蝕RTD結構到重摻雜的InGaAs收集區接觸層； 步驟4：采用高選擇性的濕法腐蝕液去除殘余的InGaAs 層，露出中間的選擇性腐蝕停止層； 步驟5：去除選擇性腐蝕停止層； 步驟6：光刻，形成有源區，采用ICP干法刻蝕技術刻蝕 有源區外部分至半絕緣InP襯底，去膠； 步驟7：光刻出HEMT的源漏電極，蒸發或濺射AuGeNi 金屬制備HEMT源電極、漏電極； 步驟8：在保護氣體氣氛下實行快速高溫退火； 步驟9：光刻出HEMT柵槽圖形，采用選擇性ICP干法刻 蝕技術刻蝕掉部分重摻雜帽層，刻蝕停止于InAlAs勢壘上， 去膠； 步驟10：在器件表面淀積生長一層鈍化介質層； 步驟11：光刻出HEMT的柵電極圖形，挖去部分的鈍化 介質層，采用蒸發或濺射的方法生成TiPtAu金屬作為HEMT 器件的柵電極； 步驟12：光刻出引線孔，挖去金屬電極上面的鈍化介質 層，去膠； 步驟13：光刻出引線互連區域，蒸發或濺射厚TiAlTiAu 金屬電極，去膠剝離。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】21 【被自引次數】5.0 【被他引次數】16.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】21
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