【摘要】本發(fā)明涉及一種碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的制造方法，其包括以下步驟：提供兩個(gè)頂部相對(duì)的導(dǎo)電基體，使其相對(duì)的兩頂部共同浸入同一含碳納米管的溶液中；施加一交流電壓于該兩導(dǎo)電基體之間，以使至少一碳納米管組裝至該相對(duì)的兩頂部之間；切斷兩導(dǎo)電基體之
【摘要】 本發(fā)明涉及一種集成的三維超導(dǎo)復(fù)合磁場(chǎng)傳感器，其包括三個(gè)兩兩垂直的一維磁場(chǎng)傳感器，每個(gè)一維傳感器包括：一個(gè)片基和其上的 緩沖層，在緩沖層上依次沉積了磁場(chǎng)測(cè)量單元和電極層，覆蓋在磁場(chǎng)測(cè)量單元和電極層周圍和之上的絕緣層，沉積在絕緣層之上的超導(dǎo)環(huán)路和絕緣層之上的覆蓋層。該集成的三維超導(dǎo)復(fù)合磁場(chǎng)傳感器是利用磁控濺射儀在片基上依次沉積各層而得。與現(xiàn)有的磁場(chǎng)傳感器相比，本發(fā)明提供的集成的三維超導(dǎo)復(fù)合磁場(chǎng)傳感器分辨率很高，能夠用來(lái)測(cè)量地磁場(chǎng)甚至更小的磁場(chǎng)。同時(shí)，本發(fā)明提供的傳感器是三維磁場(chǎng)的傳感器，比一般的一維傳感器應(yīng)用范圍更廣。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院物理研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100080北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610057375.7 【申請(qǐng)日】2006-03-10 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN101034145A 【公開(kāi)公告日】2007-09-12 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN101034145B 【授權(quán)公告日】2011-05-04 【授權(quán)公告年份】2011.0 【發(fā)明人】覃啟航; 韓秀峰; 王磊; 馬明; 賴武彥; 詹文山 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種集成的三維超導(dǎo)復(fù)合磁場(chǎng)傳感器，其特征在于：包括三個(gè)兩兩垂直的一維 磁場(chǎng)傳感器，每個(gè)一維傳感器包括：一個(gè)片基和其上的緩沖層，在緩沖層上依次沉積 了磁場(chǎng)測(cè)量單元和電極層，覆蓋在磁場(chǎng)測(cè)量單元和電極層周圍和之上的絕緣層，沉積 在絕緣層之上的超導(dǎo)材料層和絕緣層之上的覆蓋層。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市海淀區(qū)中關(guān)村南三街8號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400012174C 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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