【摘要】本發明涉及一種環保型金屬缺陷修復再生模具及其生產方法，有一個模具本體，該模具本體上設有骨架部分和拋光部分，拋光部分的內表面與被拋光物的表面形狀吻合，該模具本體由乙酸樹脂、滑石粉、異辛酸鈷、甲乙酮固化物構成。本發明與需要拋光的零件表面
【摘要】 本發明提供了一種新結構的MOS晶體管，其特 征在于所述MOS晶體管具有不對稱的源漏結構，源端采用金 屬或金屬和半導體形成的化合物與溝道形成肖特基接觸，漏端 采用抬高的高摻雜漏。本發明的MOS晶體管的源漏寄生電阻 比傳統的MOSFET器件小得多，而關態漏電流也減小了許多， 使器件的開關態電流比有了很大的提高。本發明提出的肖特基 勢壘接觸源端和抬高的摻雜漏端的MOS晶體管(SSRD MOSFET)的工藝制備方法和傳統的肖特基勢壘源漏MOS晶體 管制作工藝相兼容，同時由于離子注入工藝步驟在柵結構形成 之前，因此有著較低的熱預算，使得高K柵介質和金屬柵材料 的應用有著較大的空間。 【專利類型】發明申請 【申請人】北京大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100871北京市海淀區頤和園路5號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610140391.2 【申請日】2006-12-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1964073A 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100448028C 【授權公告日】2008-12-31 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L29/78; H01L21/336; H01L29/66; H01L21/02 【發明人】孫雷; 李定宇; 張盛東; 吳濤; 韓汝琦; 劉曉彥 【主權項內容】1.一種MOS晶體管，包括一柵電極，一柵介質層，一柵電極側墻介質層， 一半導體襯底，一源區和一漏區；所述源區由金屬或金屬與半導體形成的化合物材 料構成，所述漏區由半導體高摻雜形成，分別位于半導體襯底之上、柵電極的兩側， 且漏區具有抬高結構；所述柵介質層位于柵電極之下、半導體襯底之上，兩側分別 與源區和漏區相連；所述柵電極側墻介質層位于柵電極靠近源區一側、柵介質層之 上。 【當前權利人】北京大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區頤和園路5號 【專利權人類型】公立 【統一社會信用代碼】12100000400002259P 【被引證次數】7 【被自引次數】2.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】7
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