【摘要】一種波長為852nm的分布反饋激光器的結構，包括：在N型GaAs襯底上依次制作的N型GaAs緩沖層、N型AlGaAs下蓋層、N型GaAs緩沖層、非摻AlGaAs下波導層、N型AlGaAs下蓋層、非摻AlGaAs下壘層、非摻AlGaA
【摘要】 本發明公開了一種非同質存儲設備的虛擬化系 統，包括虛擬存儲設備、操作接口模塊、控制層以及非同質的 物理存儲設備，控制層還包括控制查詢模塊、映射策略模塊、 存儲設備物理特性管理模塊、設備間數據同步遷移模塊和I/O 處理模塊。本發明還公開了一種非同質存儲設備的虛擬化方 法。本發明在虛擬存儲設備創建時，對各個組成虛擬存儲設備 的具體存儲設備的物理特性進行了區分，并對這些屬性進行了 優先級的劃定，實現了對非同質設備的物理特性的管理；做I/O 映射處理時考慮每個具體存儲設備的物理特性，使得虛擬存儲 設備的整體性能得到優化；本發明還能夠有效提高計算機系統 數據的一致性和可靠性。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院計算技術研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100080北京市海淀區中關村科學院南路6號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610113752.4 【申請日】2006-10-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1945521A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100530069C 【授權公告日】2009-08-19 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G06F3/06 【發明人】尹洋; 張建剛; 馮碩; 馬一力; 許魯 【主權項內容】1、一種非同質存儲設備的虛擬化系統，包括虛擬存儲設備(1)、操作接口模塊 (5)、控制層(11)以及物理存儲設備，其特征在于，所述的物理存儲設備間為非 同質的物理存儲設備，所述的控制層(11)包括控制查詢模塊(6)、映射策略模塊 (7)、存儲設備物理特性管理模塊(8)、設備間數據同步遷移模塊(9)和I/O處理 模塊(12)；其中，所述的虛擬存儲設備(1)與所述的控制層(11)連接，所述的 控制層(11)則與所述的非同質的物理存儲設備分別連接，所述的操作接口模塊(5) 連接到所述的控制層(11)以及各個非同質的物理存儲設備上；所述的控制查詢模 塊(6)分別與映射策略模塊(7)、存儲設備物理特性管理模塊(8)、設備間數據同 步遷移模塊(9)和I/O處理模塊(12)連接；所述的映射策略模塊(7)還與存儲 設備物理特性管理模塊(8)、I/O處理模塊(12)連接；所述的設備間數據同步遷 移模塊(9)還與I/O處理模塊(12)連接。 【當前權利人】天津中科藍鯨信息技術有限公司; 北京中科藍鯨信息技術有限公司 【統一社會信用代碼】12100000400012342E 【被引證次數】13 【被他引次數】13.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】13
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