【摘要】本發明涉及一種具有免疫調節作用的抗酒精致 肝細胞損傷以及相應引起的血清轉氨酶升高的口服制劑，其中 含有有效量的靈芝多糖；本發明還涉及一種具有免疫調節作用 的防治化學性肝損傷的口服制劑，其中含有有效量的蟲草多 糖。本發明特別涉及一種具
【摘要】 一種波長為852nm的分布反饋激光器的結構，包括：在N型GaAs襯底上依次制作的N型GaAs緩沖層、N型AlGaAs下蓋層、N型GaAs緩沖層、非摻AlGaAs下波導層、N型AlGaAs下蓋層、非摻AlGaAs下壘層、非摻AlGaAs下波導層、非摻AlGaInAs有源層、非摻AlGaAs下壘層、非摻AlGaAs上壘層、非摻AlGaInAs有源層、非摻AlGaAs上波導層、非摻AlGaAs上壘層、非摻GaInP光柵層、非摻AlGaAs上波導層、非摻AlGaAs上蓋層、非摻GaInP光柵層、P型AlGaAs上蓋層、非摻AlGaAs上蓋層、P型GaAs帽層、P型AlGaAs上蓋層、SiO2層、P型GaAs帽層、P型電極以及N型電極。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610011982.X 【申請日】2006-05-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101079532A 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01S5/00; H01S5/12; H01S5/20; H01S5/30; H01S5/323; H01S5/343 【發明人】付生輝; 鐘源; 陳良惠 【主權項內容】1.一種波長為852nm的分布反饋激光器的結構，其 特征在于，該結構包括： 一N型GaAs襯底； 一N型GaAs緩沖層，該N型GaAs緩沖層制作在N型GaAs 襯底上； 一N型AlGaAs下蓋層，該N型AlGaAs下蓋層制作在N 型GaAs緩沖層上； 一非摻AlGaAs下波導層，該非摻AlGaAs下波導層制作在 N型AlGaAs下蓋層上； 一非摻AlGaAs下壘層，該非摻AlGaAs下壘層制作在非摻 AlGaAs下波導層上； 一非摻AlGaInAs有源層，該非摻AlGaInAs有源層制作在 非摻AlGaAs下壘層上； 一非摻AlGaAs上壘層，該非摻AlGaAs上壘層制作在非摻 AlGaInAs有源層上； 一非摻AlGaAs上波導層，該非摻AlGaAs上波導層制作在 非摻AlGaAs上壘層上； 一非摻GaInP光柵層，該非摻GaInP光柵層制作在非摻 AlGaAs上波導層上； 一非摻AlGaAs上蓋層，該非摻AlGaAs上蓋層制作在非摻 GaInP光柵層上； 一P型AlGaAs上蓋層，該P型AlGaAs上蓋層制作在非摻 AlGaAs上蓋層上； 一P型GaAs帽層，該P型GaAs帽層制作在P型AlGaAs 上蓋層上； 一SiO2層，該SiO2層制作在P型GaAs帽層兩側的上面； 一P型電極，該P型電極制作在SiO2層和P型GaAs帽層 上；以及 一N型電極，該N型電極制作在N型GaAs襯底的下面。。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族被引證次數】6
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