【摘要】1.后視圖與主視圖相同，省略后視圖。 2.右視圖與左視圖相同，省略右視圖。 3.仰視圖與俯視圖相同，省略仰視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】楊德元【申請人類型】個人【申請人地址】100101北京市朝陽區北辰東路8號匯欣公寓1905
【摘要】 本發明涉及有機半導體器件領域，一種結合干法刻蝕技術的制備圖形化襯底高遷移率各向異性有機場效應管的方法，首先沉積生長第一層有機半導體薄膜，然后通過氧氣等離子體干法刻蝕技術把設計好的圖形轉移到第一層有機薄膜表面上，再沉積生長第二層有機半導體薄膜。其步驟如下：1.在導電基底上制備絕緣介質層；2.在絕緣介質層薄膜表面上沉積生長第一層有機半導體薄膜；3.利用鏤空模板采用氧氣等離子體干法刻蝕有機薄膜，把設計的模板圖形轉移到第一層有機薄膜上；4.沉積生長第二層同質有機物薄膜；5.通過鏤空的掩模版沉積源漏金屬電極，完成各向異性有機場效應管的制備。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610083998.1 【申請日】2006-06-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101090148A 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L51/40; H01L51/05 【發明人】王叢舜; 商立偉; 涂德鈺; 劉明 【主權項內容】1，一種結合干法刻蝕技術的制備圖形化襯底高遷移率各向異性 有機場效應管的方法，首先沉積生長第一層有機半導體薄膜，然后通過 氧氣等離子體干法刻蝕技術把設計好的圖形轉移到第一層有機薄膜表面 上，再沉積生長第二層有機半導體薄膜，由于受到第一層有機物表面圖 形的誘導，第二層有機半導體材料會形成各向異性的薄膜，接著沉積源 ？？漏金屬電極，完成高遷移率各向異性的有機場效應晶體管的制備。 數據由整理 【當前權利人】中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北土城西路3號 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數】3 【被他引次數】3.0 【家族被引證次數】3
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