【摘要】本發明公開了一種TFT LCD陣列基板結構，包 括：基板；柵電極、柵極掃描線和公共電極，其中公共電極為 存儲電容的底電極；柵絕緣層；有源層及其上的溝道；數據掃 描線、源電極和漏電極；形成在柵絕緣層之上的存儲電容頂電 極；鈍化層及形成
【摘要】 本發明涉及一種生長在表面陽極氧化的鋁基體上的超疏水層狀雙羥基復合金屬氧化物薄膜及其制備方法。采用原位合成技術，在表面經陽極氧化后的鋁片上合成的層狀雙羥基復合金屬氧化物薄膜具有納米/微米復合結構，并且表面存在微米級凸凹不平的起伏，在長鏈脂肪酸鹽表面活性劑溶液中進行表面疏水處理后，具有非常優越的疏水性能，與水滴的接觸角達150～170°。所使用的表面活性劑溶液不含氟，對人體無毒害作用且對環境無污染。本方法所用工藝簡單、原料易得、成本低、重復性好，制得的薄膜有優良的超疏水和自潔性能，該超疏水性層狀雙羥基復合金屬氧化物薄膜有望用于工程材料中金屬表面的防塵、防霧保護涂層使用。 -官網 【專利類型】發明申請 【申請人】北京化工大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】100029北京市朝陽區北三環東路15號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610011643.1 【申請日】2006-04-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101054194A 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100463858C 【授權公告日】2009-02-25 【授權公告年份】2009.0 【發明人】張法智; 陳虹蕓; 段雪; 付珊珊 【主權項內容】1.一種超疏水層狀雙羥基復合金屬氧化物(簡稱LDHs)薄膜，是生長在 表面經陽極氧化后的鋁基片上的LDHs膜，膜層LDHs的化學通式是： [M2+ 1-xAl3+ x(OH)2]x+(CO3 2-)x/2·yH2O， 其中M2+代表二價金屬離子Mg2+、Co2+、Ni2+、Fe2+、Mn2+中的任何一種， 較佳的為Ni2+、Co2+或Mg2+；0.2≤x≤0.4，0≤y≤2； 該LDHs薄膜具有納米/微米復合結構，并且表面存在微米級凸凹不平的起 伏；該LDHs薄膜經過水溶性長鏈脂肪酸鹽表面活性劑溶液的處理，具有超疏 水性能，其與水滴的接觸角在150～170°； 所述的水溶性長鏈脂肪酸鹽表面活性劑，其化學式為Cn-1H2n-1COO-M+，其 中n＝12～22；M+代表一價金屬離子K+、Na+。 【當前權利人】北京化工大學 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北三環東路15號 【統一社會信用代碼】1210000040000182XD 【被引證次數】39 【被他引次數】37.0 【家族被引證次數】40
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