【摘要】本發明涉及帶有擦拭部的滑蓋型手機。本發明的 特征是包括如下幾個部分：機身部；滑蓋部，它沿上述機身部 的厚度方向重疊擺放；導軌，它形成于上述機身部及滑蓋部中 的某一個上；滑塊，它與上述機身部及滑蓋部中的另一個一體， 可沿上述導軌滑動；
【摘要】 本發明公開了一種InP HBT自對準發射極的制作方法，包括：A.在InP HBT外延層結構表面涂敷負性光刻膠，對涂敷的負性光刻膠進行曝光、反轉、顯影處理，形成發射極窗口圖形；B.在InP HBT外延層結構表面蒸發/濺射發射極材料；C.將負性光刻膠及其上方沉積的發射極材料從InPHBT外延層結構表面剝離，形成發射極；D.以形成的發射極為掩模，腐蝕InP HBT外延層結構的蓋帽層和發射極層，形成發射極臺面；E.在InPHBT外延層結構表面涂敷正性光刻膠，對涂敷的正性光刻膠進行曝光、顯影處理，形成基極窗口圖形；F.在InP HBT外延層結構表面蒸發/濺射一層金屬電極材料；G.將正性光刻膠及其上方沉積的金屬電極材料從InPHBT外延層結構表面剝離。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610089346.9 【申請日】2006-06-21 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101093803A 【公開公告日】2007-12-26 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/331; H01L21/28; H01L21/02 【發明人】于進勇; 劉新宇; 夏洋 【主權項內容】1、一種磷化銦異質結雙極型晶體管自對準發射極的制作方法，其特 征在于，該方法包括： A、在磷化銦異質結雙極型晶體管InP？HBT外延層結構表面涂敷負性 光刻膠，對涂敷的負性光刻膠進行曝光、反轉、顯影處理，形成發射極窗 口圖形； B、在形成發射極窗口圖形的InP？HBT外延層結構表面蒸發/濺射發射 極材料； C、將負性光刻膠及其上方沉積的發射極材料從InP？HBT外延層結構 表面剝離，形成發射極； D、以形成的發射極為掩模，腐蝕InP？HBT外延層結構的蓋帽層和發 射極層，形成發射極臺面； E、在形成發射極臺面的InP？HBT外延層結構表面涂敷正性光刻膠， 對涂敷的正性光刻膠進行曝光、顯影處理，形成基極窗口圖形； F、在形成基極窗口圖形的InP？HBT外延層結構表面蒸發/濺射一層金 屬電極材料； G、將正性光刻膠及其上方沉積的金屬電極材料從InP？HBT外延層結 構表面剝離，形成發射極和基極自對準的InP？HBT。 【當前權利人】中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北土城西路3號 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【引證次數】1.0 【被引證次數】8 【他引次數】1.0 【被自引次數】2.0 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】1.0 【家族被引證次數】8
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