【摘要】本發明涉及半導體器件及集成電路制造工藝中化合物半導體異質結雙極晶體管的發射極基極金屬圖形自對準的制作方法。采用包括等離子體輔助化學氣相沉積、光刻機、刻蝕機、金屬蒸發設備和浸泡剝離設備,其特點是先在化合物半導體外延片的表面淀積SiO2
【摘要】 本發明提出一種實現業務互通的系統,上述系統包括至少兩個業務網絡,上述系統還包含至少一個業務互通節點,每個上述業務互通節點至少分別和上述業務網絡中的兩個業務網絡相連,并且每個上述業務互通節點是每個與之相連的業務網絡的邊緣實體。所有業務互通節點構成一個對等實體網絡,該對等實體網絡是一個位于應用層、與具體的底層技術無關的網絡。該系統還包括一個策略平臺,該策略平臺與上述業務互通節點分別相連,并對上述業務互通節點進行控制和管理。本發明從網絡邊緣的角度實現了網絡的業務互通,避開網絡的核心部分,因此能夠在不同的運營商或者業務提供商的網絡中進行部署。 【專利類型】發明申請 【申請人】西門子通信技術(北京)有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】100016北京市朝陽區酒仙橋路14號51號樓 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610076157.8 【申請日】2006-04-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101064660A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H04L12/46; H04L12/66; H04L29/06 【發明人】何燕鋒; 袁冰; 高春友; 孟樹; 江智峰 【主權項內容】1.一種實現業務互通的系統,上述系統包括至少兩個業務網絡,其特征在于:上述系統還 包含至少一個業務互通節點,每個上述業務互通節點至少分別和上述業務網絡中的兩個 業務網絡相連,并且每個上述業務互通節點是每個與之相連的業務網絡的邊緣實體。 【當前權利人】西門子通信技術(北京)有限公司 【當前專利權人地址】北京市朝陽區酒仙橋路14號51號樓 【被引證次數】3 【被他引次數】3.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】3
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