【摘要】一種移動通信系統中的通信方法，該系統包括移動通信終端和移動通信網絡，移動通信終端包括至少兩個用戶設備，移動通信網絡包括一個基站收發器、一個無線網絡控制器、一個核心網，上述一個用戶設備向移動通信網絡發出一個通信請求；通信網絡判斷上述主
【摘要】 本發明涉及半導體器件及集成電路制造工藝中化合物半導體異質結雙極晶體管的發射極/基極金屬圖形自對準的制作方法。采用包括等離子體輔助化學氣相沉積、光刻機、刻蝕機、金屬蒸發設備和浸泡剝離設備，其特點是先在化合物半導體外延片的表面淀積SiO2/Si3N4兩層介質層，再在其上涂負性光刻膠；然后在負性光刻膠上光刻出發射極窗口圖形，再用反應離子刻蝕或感應耦合等離子體刻蝕設備將發射極窗口圖形處的介質層刻蝕掉，然后用等離子體刻蝕將負性光刻膠窗口適當擴大，繼而通過蒸發制備發射極所需金屬，再經浸泡剝離，從而獲得T型發射極金屬圖形。適用于多種金屬實現發射極/基極金屬圖形自對準，使發射區和基區面積大為縮小。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610003066.1 【申請日】2006-02-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017781A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/331; H01L21/283 【發明人】蘇樹兵; 劉訓春; 于進勇; 劉新宇; 王潤梅; 鄭英奎; 魏珂; 汪寧 【主權項內容】1.一種化合物半導體異質結雙極晶體管發射極/基極金屬圖形自對 準的制作方法，采用包括等離子體輔助化學氣相沉積、光刻機、刻蝕機、 金屬蒸發設備和浸泡剝離設備，其特點是先在化合物半導體外延片的表 面淀積SiO2/Si3N4兩層介質層，再在其上涂負性光刻膠；然后在負性光 刻膠上光刻出發射極窗口圖形，再用反應離子刻蝕或感應耦合等離子體 刻蝕設備將發射極窗口圖形處的介質層刻蝕掉，然后用等離子體刻蝕將 負性光刻膠窗口適當擴大，繼而通過蒸發制備發射極所需金屬，再經浸 泡剝離，從而獲得T型發射極金屬圖形。 ： 【當前權利人】中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北土城西路3號 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數】5 【被自引次數】1.0 【被他引次數】4.0 【家族被引證次數】5
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776064078.html
喜歡就贊一下
