【摘要】自蔓延反應(yīng)燒結(jié) Si3N4BN復(fù)相可加工陶瓷的方法，屬于自蔓延高溫合成技術(shù)領(lǐng) 域。化學(xué)爐采用的埋粉為Si粉和 Si3N4粉的混合粉，其配比為：Si粉含量為50～70重量％， Si3N4粉含量為30～50重量％； Si3N4BN可加工
【摘要】 本發(fā)明涉及一種納米碳管復(fù)合場發(fā)射源，包括在襯底上生長作為電子場發(fā)射源的納米碳管膜，所述的襯底是導(dǎo)電纖維編織繩或編織布，該編織物的纖維直徑范圍為1～20μm。該復(fù)合場發(fā)射源的制備方法如下：在常溫和常壓條件下利用聲化學(xué)方法制備納米碳管，采用離心分離和過濾、表面活性超聲分散、化學(xué)腐蝕、選擇性氧化和超聲刻蝕等方法對納米碳管進行純化和剪切，通過電泳沉積法將經(jīng)純化和剪切后的納米碳管牢固地沉積在導(dǎo)電纖維編織繩或編織布上，形成納米碳管復(fù)合場發(fā)射源。本發(fā)明的復(fù)合場發(fā)射源具有極高的場增強因子，可降低場發(fā)射器件的工作電壓和能耗。本發(fā)明的制備方法簡單，易于工業(yè)化生產(chǎn)。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京漢納源納米科技有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】100102北京市朝陽區(qū)望京中環(huán)南路甲2號佳境天成大廈B座12層 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610066306.2 【申請日】2006-03-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101047086A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100514529C 【授權(quán)公告日】2009-07-15 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01J1/304; H01J29/04; H01J9/02; C01B31/02; H01J1/30; C01B31/00 【發(fā)明人】馮孫齊 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種納米碳管復(fù)合場發(fā)射源，由襯底和在襯底上沉積的作為電子場發(fā)射 源的納米碳管膜組成，其特征在于，所述的襯底是導(dǎo)電纖維編織物，所述的編織 物包括編織繩或編織布，該編織物的纖維直徑范圍為1～20μm。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京漢納源納米科技有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)望京中環(huán)南路甲2號佳境天成大廈B座12層 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(自然人投資或控股) 【統(tǒng)一社會信用代碼】911101087684969985 【被引證次數(shù)】6 【被他引次數(shù)】6.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】6
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