【摘要】本實用新型為一種石膏凝固時間測定儀，主要解決石膏漿凝固時間的測定等技術問題。它包括有包括有殼體和控制部分，其控制部分安裝在殼體上，控制部分包括有控制模塊、模數轉換模塊、以及一電源模塊和一顯示模塊；該控制模塊分別與模數轉換模塊、電源模
【摘要】 本發明屬于有機半導體學中的微細加工領域，特別是一種基于模版制備各向異性有機場效應管的方法。其工藝步驟如下：1.在導電基底上生長絕緣介質薄膜；2.在絕緣介質薄膜表面上旋涂抗蝕劑，光刻得到有取向的圖形；3.利用抗蝕劑掩蔽刻蝕絕緣介質薄膜；4.沉積生長有機半導體薄膜；5.通過鏤空的掩模版沉積源漏金屬電極，完成各向異性有機場效應管的制備。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610012053.0 【申請日】2006-05-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101083303A 【公開公告日】2007-12-05 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L51/40 【發明人】商立偉; 涂德鈺; 王叢舜; 劉明 【主權項內容】1，一種基于模版制備各向異性有機場效應管的方法，是由一次絕緣 介質生長，一次有機半導體薄膜生長，一次光刻，一次干法刻蝕，一次 金屬沉積，獲得各向異性的有機場效應管，其特征在于，其步驟如下： 步驟1、在導電基底上生長絕緣介質薄膜； 步驟2、在絕緣介質薄膜表面上旋涂抗蝕劑，光刻得到有取向 的圖形； 步驟3、利用抗蝕劑掩蔽刻蝕絕緣介質薄膜； 步驟4、沉積生長有機半導體薄膜； 步驟5、通過鏤空的掩模版沉積生長源漏金屬電極。 【當前權利人】中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北土城西路3號 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族被引證次數】2
未經允許不得轉載：http://www.mhvdw.cn/1776016364.html
喜歡就贊一下
