【摘要】本發(fā)明涉及有機(jī)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，一種結(jié)合干法刻蝕技術(shù)的制備圖形化襯底高遷移率各向異性有機(jī)場效應(yīng)管的方法，首先沉積生長第一層有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，然后通過氧氣等離子體干法刻蝕技術(shù)把設(shè)計(jì)好的圖形轉(zhuǎn)移到第一層有機(jī)薄膜表面上，再沉積生長第二層有機(jī)半
【摘要】 1.本外觀設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)要點(diǎn)在于形狀。本產(chǎn)品可供使用者抽吸，作為鼻、 咽、肺內(nèi)給藥儀器或者健康無燃燒型香煙。 2.后視圖、左視圖、右視圖與主視圖相同，省略后視圖、左視圖、右視 圖。 【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請人】吳玲芝; 韓思慧 【申請人類型】個(gè)人 【申請人地址】100027北京市朝陽區(qū)國際港B座1006 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630164938.3 【申請日】2006-12-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300722862D 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN300722862D 【授權(quán)公告日】2007-12-19 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】吳玲芝; 韓思慧 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】吳玲芝; 韓思慧 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)國際港B座1006;
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