【摘要】本發明公開了一種制作541納米窄帶通光電探測 器的方法,包括以下步驟:將N型硅片外延片襯底送入氧化爐 生長氧化層;注入硼離子;將硅片送入LPCVD爐中生長 Si3N4層;光刻P區引線孔和壓焊點窗口;蒸鋁;鋁反刻;合金; 背面減薄蒸金
【摘要】 右視圖與左視圖對稱,省略右視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】陳曉維 【申請人類型】個人 【申請人地址】102208北京市昌平區東小口鎮馬連店村百強家具 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】昌平區 【申請號】CN200630152190.5 【申請日】2006-05-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3644998D 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3644998D 【授權公告日】2007-05-16 【授權公告年份】2007.0 【發明人】陳曉維 【主權項內容】無 【當前權利人】陳曉維 【當前專利權人地址】北京市昌平區東小口鎮馬連店村百強家具
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