【摘要】右視圖與左視圖對稱，省略右視圖。【專利類型】外觀設計【申請人】陳曉維【申請人類型】個人【申請人地址】102208北京市昌平區東小口鎮馬連店村百強家具【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】昌平區【申請號】CN200630
【摘要】 本發明公開了一種制作541納米窄帶通光電探測 器的方法，包括以下步驟：將N型硅片外延片襯底送入氧化爐 生長氧化層；注入硼離子；將硅片送入LPCVD爐中生長 Si3N4層；光刻P區引線孔和壓焊點窗口；蒸鋁；鋁反刻；合金； 背面減薄蒸金；合金；劃片；制作帶ITO薄膜541納米峰值波 長窄帶通濾光片：將帶導電ITO薄膜濾光片與金屬管帽歐姆接 觸、封裝。按照本發明的方法制得的541納米窄帶通光電探測 器具有光譜選擇性優良、光電轉換率高、暗電流極低、抗干擾 能力強、環境適應性好的優點，而且工藝簡單、材料容易獲得， 可以利用現有設備和技術批量化生產，完全能滿足第五版人民 幣防偽檢測推廣使用的需要。 【專利類型】發明申請 【申請人】郭輝; 江建國 【申請人類型】個人 【申請人地址】102208北京市昌平區回龍觀流星花園2區5棟7門202室 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】昌平區 【申請號】CN200610032374.7 【申請日】2006-10-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1933193A 【公開公告日】2007-03-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100477296C 【授權公告日】2009-04-08 【授權公告年份】2009.0 【發明人】郭輝; 江建國 【主權項內容】 1、一種制作541納米窄帶通光電探測器的方法，包括 第一步、制作硅光電二極管芯片步驟： (1)將N型硅片外延片襯底送入氧化爐生長氧化層； (2)光刻P區窗口，注入硼離子，退火； (3)將硅片送入LPCVD爐中生長Si3N4層； (4)光刻P區引線孔和壓焊點窗口； (5)蒸鋁； (6)鋁反刻； (7)合金； (10)背面減薄蒸金； (11)合金； (12)劃片； 第二步、制作帶ITO薄膜541納米峰值波長窄帶通濾光片步驟： (1)將光學玻璃裁成圓片，進行拋光、滾圓、清洗、烘干后用夾具夾好； (2)將夾具放置在工件中，在真空鍍膜機中對圓片鍍制541納米波長窄 帶通光學膜系后，緊接著鍍制導電ITO膜； 第三步、帶導電ITO薄膜濾光片與金屬管帽歐姆接觸制作步驟： (1)將低溫銀漿涂在頂部開口的金屬管帽頂部邊框內側； (2)將濾光片放入金屬管帽頂部邊框中輕壓，放入時應將帶ITO薄膜面 與金屬管帽頂部邊框接觸； (3)送入恒溫箱中加熱，使帶導電ITO薄膜濾光片與金屬管座實現良好 固化接觸； 第四步、封裝步驟： (1)在與金屬管帽配套的金屬管座上涂低溫銀漿，安放硅光電二極管管 芯，置于恒溫箱中恒溫加熱，使硅光電二極管芯燒結在金屬管座上； (2)將金絲壓焊在管芯引線窗口的金屬層和金屬管座引線柱上； (3)在金屬管帽內放置一橡膠圈； (4)用封帽機將金屬管帽與管座進行封裝。 【當前權利人】北京郵電大學 【當前專利權人地址】北京市海淀區西土城路10號 【被引證次數】8 【被他引次數】8.0 【家族被引證次數】8
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