【摘要】本發明涉及的是一種半導體材料技術領域的量子邏輯器件的隧穿二極管制備方法。包括如下步驟：①用氣相外延方法生長單晶硅薄膜和用等離子增強化學氣相沉積方法生長硅量子點薄膜；②利用半導體量子輸運方法對硅量子點共振隧穿二極管器件的隧穿電流特性進
【專利類型】外觀設計 【申請人】上海昆杰五金工具有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】201108上海市閔行區華寧路3740弄198號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】閔行區 【申請號】CN200630046076.4 【申請日】2006-11-30 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300710204D 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN300710204D 【授權公告日】2007-11-21 【授權公告年份】2007.0 【發明人】溫昊 【主權項內容】無 【當前權利人】上海昆杰五金工具有限公司 【當前專利權人地址】上海市閔行區華寧路3740弄198號 【專利權人類型】有限責任公司 【統一社會信用代碼】91310112132139936Y
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