【摘要】本發明提供一種提高III－V族應變多量子阱發 光強度的方法，其特征是通過離子刻蝕方法增強III－V族發光 材料的發光亮度。離子刻蝕覆蓋層采用感應耦合等離子體(ICP) 或反應離子(RIE)等刻蝕技術?？涛g所采用的氣體為Ar離子或 A
【摘要】 請求保護的外觀設計包含色彩。 【專利類型】外觀設計 【申請人】上海日尚日用品有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】200051上海市長寧區虹橋路977弄1號中山廣場32樓C座 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200630033001.2 【申請日】2006-01-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3600534D 【公開公告日】2007-01-17 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3600534D 【授權公告日】2007-01-17 【授權公告年份】2007.0 【發明人】顧欣欣 【主權項內容】無 【當前權利人】上海日尚日用品有限公司 【當前專利權人地址】上海市長寧區虹橋路977弄1號中山廣場32樓C座 【專利權人類型】有限責任公司(自然人投資或控股) 【統一社會信用代碼】913101147797906903
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