【摘要】一種基于rake接收機的系統信息解調裝置，該裝 置包括：分離器，信道估計器，rake接收機和信息提取器。其 中，分離器有兩個輸出，一個輸出和信道估計器的輸入連接， 另一個輸出和rake接收機的一個輸入連接；rake接收機的另一 個輸
【摘要】 本發明提供一種提高III－V族應變多量子阱發 光強度的方法，其特征是通過離子刻蝕方法增強III－V族發光 材料的發光亮度。離子刻蝕覆蓋層采用感應耦合等離子體(ICP) 或反應離子(RIE)等刻蝕技術。刻蝕所采用的氣體為Ar離子或 Ar離子和Cl2氣的混合氣體。干 法刻蝕后，刻蝕表面至量子阱層的距離大于刻蝕損傷深度時， 量子阱干法刻蝕部位發光強度得到明顯增強。本發明提供的方 法適用的III－V族化合物材料是由氣態源分子束外延(GSMBE) 或金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)等方法生長所得，利用 本發明提供的方法可使應變多量子阱發光強度提高3－5倍。。關注公眾號馬 克 數 據 網 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區長寧路865號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】長寧區 【申請號】CN200610117154.4 【申請日】2006-10-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1933263A 【公開公告日】2007-03-21 【公開公告年份】2007 【發明人】吳惠楨; 曹萌; 勞燕鋒; 黃占超; 劉成; 謝正生 【主權項內容】1、一種提高III-V族應變多量子阱發光強度的方法，其特征在于具體步 驟是： a.將III-V族應變多量子阱生長片解理為正方形或長方形； b.用等離子體增強化學氣相沉積方法對III-V族應變量子阱生長片的表 面用Si3N4作掩膜進行保護； c.用氫氟酸將作保護的掩膜去除一半，使應變量子阱生長片的一半表面 露出來； d.采用干法刻蝕方法對III-V族應變量子阱生長片的覆蓋層進行刻蝕； e.刻蝕后用HF將剩余Si3N4掩膜去除。 【當前權利人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區長寧路865號 【統一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數】5 【被自引次數】1.0 【被他引次數】4.0 【家族被引證次數】5
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