【摘要】本發明涉及一種藤黃綠菌素的發酵培養方法，采 用能分泌藤黃綠菌素的假單胞菌菌種，在甘油培養基上連續傳 代5～6次，獲得的發酵用假單胞菌菌株再接種到甘油培養液 中生長及放大生產，在28－32℃、pH6.8－7.5，攪拌發酵或振 蕩培養3
【摘要】 本發明涉及一種在半導體器件的光刻過程中縮小用于形成接觸孔的光刻膠圖案的臨界尺寸，從而允許得到臨界尺寸在90nm以下的接觸孔圖案的方法。所述方法包括a)在襯底上涂覆光刻膠，形成光刻膠層；b)利用具有預定圖案的掩模對光刻膠層進行曝光；c)在曝光后的光刻膠層上涂布光酸抑制劑；d)對涂布有光酸抑制劑的光刻膠層進行曝光后烘烤；和e)利用顯影劑對經上述處理的光刻膠層進行顯影，得到臨界尺寸縮小的接觸孔圖案。 【專利類型】發明申請 【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】201203上海市浦東新區張江路18號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】浦東新區 【申請號】CN200610024870.8 【申請日】2006-03-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101042536A 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100498544C 【授權公告日】2009-06-10 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G03F7/20; G03F7/38; G03F1/00; H01L21/027; G03F1/38 【發明人】崔彰日 【主權項內容】1.一種縮小光刻膠接觸孔圖案的臨界尺寸的方法，該方法包括以下步驟： a)在襯底上涂覆光刻膠，形成光刻膠層； b)利用具有預定圖案的掩模對光刻膠層進行曝光； c)在曝光后的光刻膠層上涂布光酸抑制劑； d)對涂布有光酸抑制劑的光刻膠層進行曝光后烘烤；和 e)利用顯影劑對經上述處理的光刻膠層進行顯影，得到臨界尺寸縮小的接觸孔 圖案。 【當前權利人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司; 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 【當前專利權人地址】上海市浦東新區張江路18號; 北京市大興區經濟技術開發區文昌大道18號 【專利權人類型】有限責任公司(外國法人獨資) 【統一社會信用代碼】91310115710939629R 【引證次數】4.0 【被引證次數】10 【他引次數】4.0 【被自引次數】2.0 【被他引次數】8.0 【家族引證次數】8.0 【家族被引證次數】12
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