【摘要】一種對具有單層襯底結構的高壓半導體硅管制造方法的改進，通過背面摻雜等工藝，在襯底高阻層背面形成低阻薄層，有效地減小了接觸電阻，增加了功能，簡化了工藝，減少了加工中的碎片率，制成一種具有低阻薄層襯底結構的新型高壓半導體硅管。【專利類型
【摘要】 本發明是關于從硫化鉛精礦中提煉金屬鉛的一種濕法冶金工藝。工藝流程簡易，將精礦固相轉化成氯化鉛、浮選提純、離子膜電解氯化鉛水溶液，即可得到符合目標的金屬鉛。這是一個無需對溶液進行深度凈化。就可以從鉛精直接生產高質量金屬鉛的工藝。該流程作業溫度低，設備不需特殊防腐、投資省、過程無中毒、無三廢，技術經濟指標先進，精礦中伴生的有價金屬、錒、銀、鋅、硫等均能回收。流程處理規模可大可小，有著良好的適應性。 【專利類型】發明授權 【申請人】沈陽礦冶研究所; 沈陽冶煉廠 【申請人類型】企業 【申請人地址】遼寧省沈陽市鐵西區保工街四段六里二號 【申請人地區】中國 【申請人城市】沈陽市 【申請人區縣】鐵西區 【申請號】CN88105063.6 【申請日】1988-05-17 【申請年份】1988 【公開公告號】CN1014722B 【公開公告日】1991-11-13 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1014722B 【授權公告日】1991-11-13 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】C22B3/04; C22B13/00 【發明人】陳浩; 楊紀彬; 高偉; 王懋川 【主權項內容】1、一種從含鉛硫化礦中回收金屬鉛的濕法冶金工藝，其特 征是硫化鉛礦在浸礦劑(三氯化鐵、氯化鈉溶液)中進行固相轉化， 從而制得轉化渣(氯化鉛、元素硫等)和轉化液(二氯化鐵等)，轉 化渣經浮選除雜，獲得純凈的氯化鉛，用氯化鈉的水溶液把氯化 鉛溶解制成陰極液，轉化液經回收其中的有價金屬后，用做陽極 液，采用隔膜(陰離子交換膜)電解，從陰極上沉積出海綿鉛，貧 鉛陰極液返回溶解槽，自成循環系統，陽極上Fe+2氧化生成Fe+3 和從陰極室游離出氯離子經陰離子交換膜遷移到陽極室與Fe+3生 成三氯化鐵，使浸礦劑再生， 工藝過程的技術條件： (一)固相轉化： (1)浸礦劑的成份： Fe3+： 40～80g/l PH＜1 Cl-： 200～250g/l 液固比： 4～8∶1； 溫度：25～75℃ 攪拌： 1～4小時； 轉化時間：1～4小時 (二)轉化渣浮選除雜： 礦漿(轉化渣)濃度(重量比)：10～85％? PH?＝2～3 (三)隔膜電解： 陰極液成份(g/l) Cl-：150～170； Cu＜0.001 Ag＜0.001； Pb＞9 電解液循環量：500～750ml/A·h 電解液溫度：45～50℃ 【當前權利人】沈陽礦冶研究所; 沈陽冶煉廠 【當前專利權人地址】遼寧省沈陽市鐵西區保工街四段六里二號; 遼寧省沈陽市鐵西區北二中路十號 【專利權人類型】國有企業 【家族被引證次數】2.0
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