【摘要】本發明公開了一種粘合劑及其制備方法，本發明的粘合劑適用于鑄錠保溫帽的絕熱板。其組成為糯米粉15～30％，面粉15～30％，硅藻土30～50％，松香≥5％。先將糯米、松香按配比稱量，浸泡于水中，磨成漿液，經沉淀、過濾、干燥后，細磨成粉
【摘要】 一種對具有單層襯底結構的高壓半導體硅管制造方法的改進，通過背面摻雜等工藝，在襯底高阻層背面形成低阻薄層，有效地減小了接觸電阻，增加了功能，簡化了工藝，減少了加工中的碎片率，制成一種具有低阻薄層襯底結構的新型高壓半導體硅管。 【專利類型】發明授權 【申請人】北京市半導體器件研究所 【申請人類型】企業 【申請人地址】北京市昌平縣沙河鎮 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】昌平區 【申請號】CN89103536.2 【申請日】1989-06-02 【申請年份】1989 【公開公告號】CN1014570B 【公開公告日】1991-10-30 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1014570B 【授權公告日】1991-10-30 【授權公告年份】1991.0 【IPC分類號】H01L21/302; H01L21/265; H01L21/24; H01L21/324; H01L21/02 【發明人】李恩敏 【主權項內容】1、一種高壓硅管的制作方法，該方法包括下列工藝步驟： a、制備高阻硅單晶片襯底； b、用常規工藝在所說的高阻襯底上制造管芯； c、在高阻襯底制有管芯的一面--正面的管芯之間劃出片槽； d、用粘接劑將已制有管芯的單晶片與底襯托粘接在一起，形成復合 片； e、對復合片的高阻襯底未制作管芯的一面--背面進行研磨、減薄； f、摻雜。 其特征在于，在步驟d中，是將已制有管芯的單晶片劃出劃片槽的正 面與底托片粘接在一起，即步驟d是在步驟c之后進行的；在步驟f中， 摻雜是對已被減薄的帶有管芯的高阻襯底的背面進行的。 【當前權利人】北京市半導體器件研究所 【當前專利權人地址】北京市昌平縣沙河鎮 【專利權人類型】全民所有制 【統一社會信用代碼】911101144006151941 【引證次數】3.0 【自引次數】3.0 【家族引證次數】3.0 【家族被引證次數】3.0
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