【摘要】本發明是有關于一種薄膜電晶體的制造方法，是在形成一源極結構、一汲極結構、一通道結構后，不去除一第一光阻層，而直接于該第一光阻層上形成一第二光阻層，并藉以形成一半導體結構，并且，采用n型摻雜的非晶硅、多晶硅層或有機金屬化合物取代金屬作
【摘要】 1.請求保護紀念筆的色彩。 2.本產品的右視圖與左視圖對稱，省略右視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】石英華 【申請人類型】個人 【申請人地址】132300吉林省磐石市東寧街中興委7組100號 【申請人地區】中國 【申請人城市】吉林市 【申請人區縣】磐石市 【申請號】CN200630008879.0 【申請日】2006-05-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3613378D 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3613378D 【授權公告日】2007-02-21 【授權公告年份】2007.0 【發明人】石英華 【主權項內容】無 【當前權利人】石英華 【當前專利權人地址】吉林省磐石市東寧街中興委7組100號
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