【摘要】本發(fā)明涉及香蘭素含銅“混晶”廢觸媒分離方法。方法是使用小蘇打溶液使“混晶”中的銅以孔雀石形式分離出來，經(jīng)洗滌及酸溶后再生硫酸銅，也可以用銅電積后的電積液溶解孔雀石使電積產(chǎn)酸循環(huán)利用，同時使電積液再生。分離孔雀石后的上清富液直接冷凍結(jié)
【摘要】 本發(fā)明涉及一種具有垂直排列的焊墊結(jié)構(gòu)的半 導(dǎo)體晶粒(片)。該些焊墊結(jié)構(gòu)是垂直地配置在Y方向上、或者 橫跨半導(dǎo)體晶粒(芯片)的寬度。該些焊墊結(jié)構(gòu)中的兩列分別被 設(shè)置于半導(dǎo)體晶粒的兩側(cè)，而有另一列被設(shè)置于半導(dǎo)體晶粒的 中央。一第一焊線群將位于半導(dǎo)體晶粒(芯片)兩側(cè)的各焊墊結(jié) 構(gòu)與陶瓷封裝上的傳導(dǎo)引線結(jié)構(gòu)電連接。而另一第二焊線群將 位于半導(dǎo)體晶粒(芯片)中央的焊墊結(jié)構(gòu)與位于半導(dǎo)體晶粒上 (芯片)的芯片上引線(LOC)結(jié)構(gòu)電連接。相較于習(xí)知在半導(dǎo)體晶 粒(芯片)的所有側(cè)邊上的垂直及水平焊墊結(jié)構(gòu)列配置，本發(fā)明 的垂直排列焊墊結(jié)構(gòu)的配置方式，可以讓已完成的半導(dǎo)體晶粒 (芯片)在進行平行測試時達到最佳的效果。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】鈺創(chuàng)科技股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610152325.7 【申請日】2006-09-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1921098A 【公開公告日】2007-02-28 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】夏浚 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種封裝結(jié)構(gòu)上的半導(dǎo)體晶粒，包括一半導(dǎo)體晶粒，多個焊墊，一半導(dǎo)體晶 圓，其特征在于，包含： 一寬度，其是在該半導(dǎo)體晶粒的Y方向的寬度，該寬度小于該半導(dǎo)體晶粒在X 方向的長度； 多數(shù)個焊墊結(jié)構(gòu)列，其中每一焊墊結(jié)構(gòu)列包含多數(shù)個個別的焊墊結(jié)構(gòu)，且該些 焊墊結(jié)構(gòu)垂直地排列在Y方向上，其中一第一焊墊結(jié)構(gòu)列與一第二焊墊結(jié)構(gòu)列分別 設(shè)置于該半導(dǎo)體晶粒的兩側(cè)，且其中一第三焊墊結(jié)構(gòu)列是設(shè)置于該半導(dǎo)體晶粒的中 央； 多數(shù)個傳導(dǎo)引線結(jié)構(gòu)，其是位于該封裝結(jié)構(gòu)上，其中每一傳導(dǎo)引線結(jié)構(gòu)的位置 是相鄰于該第一焊墊結(jié)構(gòu)列、或該第二焊墊結(jié)構(gòu)列； 多數(shù)個有機膠帶結(jié)構(gòu)，位于未被該些焊墊結(jié)構(gòu)列占據(jù)的該半導(dǎo)體晶粒區(qū)域上； 多數(shù)個芯片上引線結(jié)構(gòu)，每一芯片上引線結(jié)構(gòu)是由該封裝結(jié)構(gòu)上的一第一部份 及該有機膠帶結(jié)構(gòu)上的一第二部份所組成，其中該芯片上引線的該第二部份中止于 該第三焊墊結(jié)構(gòu)列的一焊墊結(jié)構(gòu)組件相鄰處，其是在該半導(dǎo)體晶粒的中央； 焊線-負(fù)責(zé)傳導(dǎo)引線及半導(dǎo)體晶粒的所有側(cè)邊上垂直列排焊墊之間的電性連接。 【當(dāng)前權(quán)利人】鈺創(chuàng)科技股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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