【摘要】本發(fā)明公開了一種用于檢測(cè)重金屬的毛細(xì)管電 泳檢測(cè)器，其包括毛細(xì)管、高壓直流電源、測(cè)試池、電流顯示 單元，其特征在于，測(cè)試池內(nèi)設(shè)有參比電極、檢測(cè)極，兩者連 接電流顯示單元構(gòu)成測(cè)量回路；所述檢測(cè)組件是將P型或N型Si片作基片，其下面有A
【摘要】 本發(fā)明描述制造氮化物捕捉電可抹除可程式化唯讀記憶體快閃記憶體的方法，其中每個(gè)記憶體單元使用硅翼片來形成氮化物捕捉電可抹除可程式化唯讀記憶體快閃單元，在所述氮化物捕捉電可抹除可程式化唯讀記憶體快閃單元中，源極區(qū)域和汲極區(qū)域均未摻雜。一行氮化物捕捉記憶體單元中的所選擇的多晶硅閘極的每個(gè)鄰近多晶硅閘極用于產(chǎn)生反轉(zhuǎn)區(qū)域，充當(dāng)用于傳送所需電壓的源極區(qū)域或汲極區(qū)域，其在每個(gè)記憶體單元的所述源極區(qū)域和所述汲極區(qū)域均未摻雜的情況下保存記憶體單元的密度。所述快閃記憶體包括與多個(gè)硅翼片層交叉的多個(gè)多晶硅層。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】旺宏電子股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國臺(tái)灣新竹縣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行路16號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610103887.2 【申請(qǐng)日】2006-08-04 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101047188A 【公開公告日】2007-10-03 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100539161C 【授權(quán)公告日】2009-09-09 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】H01L27/115; H01L29/792; G11C16/02; H01L29/66 【發(fā)明人】許嘉倫; 劉慕義 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】 。1、一種快閃記憶體陣列，其特征在于其包括： 第一電荷捕捉記憶體單元，具有覆蓋第一電荷捕捉薄膜的閘極電極、 未摻雜的源極區(qū)域和未摻雜的汲極區(qū)域； 第二電荷捕捉記憶體單元，鄰近所述第一記憶體單元的第一側(cè)安置， 所述第一記憶體單元具有覆蓋第二電荷捕捉薄膜的閘極電極、未摻雜的源 極區(qū)域和未摻雜的汲極區(qū)域； 第三電荷捕捉記憶體單元，鄰近所述第一記憶體單元的第二側(cè)安置， 所述第三記憶體單元具有覆蓋第三電荷捕捉薄膜的閘極電極、未摻雜的源 極區(qū)域和未摻雜的汲極區(qū)域；和 硅翼片層，越過所述第一電荷捕捉記憶體單元、所述第二電荷捕捉記 憶體單元和所述第三電荷捕捉記憶體單元正交延伸。 【當(dāng)前權(quán)利人】旺宏電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣新竹縣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行路16號(hào) 【被引證次數(shù)】2 【被自引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】37
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