【摘要】一種衛星降頻器之功率分配器，包括一電阻分別電連第一輸出導線及第二輸出導線；其中第一輸出導線及第二輸出導線之間的張開角度介于45度至90度，藉由兩輸出導線的布局設計，將耦合效應產生的等效電抗，補償電阻本身在K頻帶時，因寄生效應產生的寄
【摘要】 一種氮化鎵系半導體的成長方法，用于提供一個制造固態半導體發光裝置所需要的基礎，該成長方法包含下列步驟：提供一塊基材，在該基材上形成多個間隔散布的氮化鎵系材料的島狀凸塊，在上述島狀凸塊上形成一層由氮化鎵系為主的材料所制成的基礎層；借由提供該具有低缺陷密度基礎層，使該固態發光裝置可形成于該基礎層上，因此可以降低發光裝置的缺陷密度，提高發光裝置的發光效率。 【專利類型】發明申請 【申請人】新世紀光電股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺南縣善化鎮臺南科學工業園區大利三路5號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610001595.8 【申請日】2006-01-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009339A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100477303C 【授權公告日】2009-04-08 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L33/00; H01L21/20 【發明人】陳政權; 陳銘章; 洪昆明 【主權項內容】1.一種氮化鎵系半導體的成長方法，其特征在于該成長方法包含下 列步驟： (i)提供一塊基材； (ii)在該基材上形成多個間隔散布并且由氮化鎵系材料制成的島狀 凸塊；以及 (iii)在上述島狀凸塊上形成一層由氮化鎵系為主的材料所制成的 基礎層。 【當前權利人】新世紀光電股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺南縣善化鎮臺南科學工業園區大利三路5號 【引證次數】1.0 【被引證次數】8 【他引次數】1.0 【被他引次數】8.0 【家族引證次數】6.0 【家族被引證次數】8
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