【摘要】本發明提供一種半導體裝置及其形成方法，此半導體裝置包括半導體基底、隔離區域、柵極結構、第一摻雜區域以及第二摻雜區域，此半導體基底為第一導電型態，且半導體基底具有溝槽，此溝槽包括底部區域與側壁區域，隔離區域形成于溝槽的底部區域上，柵極
【摘要】 本發明是有關于一種液晶顯示裝置的制備方法， 所述的制備方法的步驟包括：(a)提供一形成有一透明電極層與 一第一金屬層的基板，其中透明電極層是位于第一金屬層與基 板之間；(b)以第一道掩膜定義出包含薄膜二極管結構區與像素 區的區域；(c)依序形成一第一絕緣層與一第二金屬層于基板 上，其中第一絕緣層是位于第二金屬層與第一金屬層之間；以 及(d)以第二道掩膜定義出一薄膜二極管結構區與一像素區，并 移除像素區上的第二金屬層、第一絕緣層、以及第一金屬層， 暴露出透明電極層。 【專利類型】發明申請 【申請人】友達光電股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610164535.8 【申請日】2006-12-05 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1963621A 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100426071C 【授權公告日】2008-10-15 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】G02F1/1333; G02F1/13 【發明人】郭威宏; 楊克勤; 周文彬 【主權項內容】1.一種液晶顯示裝置的制備方法，其中，該制備方法的步驟包括： (a)提供一形成有一透明電極層與一第一金屬層的基板，其中該透明電極 層位于該第一金屬層與該基板之間； (b)以第一道掩膜定義出包含薄膜二極管結構區與像素區的區域； (c)依序形成一第一絕緣層與一第二金屬層于基板上，其中該第一絕緣層 位于該第二金屬層與所述的第一金屬層之間；以及 (d)以第二道掩膜定義出一薄膜二極管結構區與一像素區，并移除該像素 區上的所述的第二金屬層、所述的第一絕緣層、以及所述的第一金屬層，暴露 出所述的透明電極層。 【當前權利人】友達光電股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹市 【引證次數】2.0 【他引次數】2.0 【家族引證次數】5.0
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