【摘要】一種氮化鎵系半導(dǎo)體的成長方法，用于提供一個(gè)制造固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光裝置所需要的基礎(chǔ)，該成長方法包含下列步驟：提供一塊基材，在該基材上形成多個(gè)間隔散布的氮化鎵系材料的島狀凸塊，在上述島狀凸塊上形成一層由氮化鎵系為主的材料所制成的基礎(chǔ)層；借由
【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】宇瞻科技股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國臺(tái)灣臺(tái)北縣 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630133729.2 【申請(qǐng)日】2006-06-12 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN3660140D 【公開公告日】2007-06-20 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN3660140D 【授權(quán)公告日】2007-06-20 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】林敏龍; 唐銘宏 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】宇瞻科技股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣臺(tái)北縣
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