【摘要】本實用新型涉及一種置放筆記本電腦的散熱座 體結(jié)構(gòu)，其包含有一底座、至少一風扇、一框架及一面板，其 中，該底座設至少一風扇槽，該風扇槽側(cè)邊連通設置氣流導槽， 該至少一風扇組設于風扇槽中，該框架設有入風口對應于底座 風扇槽，框架對應前述
【摘要】 本發(fā)明提供儲存單元，其包括：一半導體基板， 其具有由通道區(qū)域隔開的至少兩個源極/漏極區(qū)域；一置于所述 通道區(qū)域上方的電荷捕獲結(jié)構(gòu)；以及一置于所述電荷捕獲結(jié)構(gòu) 上方的柵極；其中所述電荷捕獲結(jié)構(gòu)包括一底部絕緣層、一第 一電荷捕獲層以及一第二電荷捕獲層，其中所述底部絕緣層與 所述基板之間的接口具有小于約3× 1011/cm2的氫濃度，且本發(fā)明提供一形成所述儲存單元的方法。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610145178.0 【申請日】2006-11-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1967794A 【公開公告日】2007-05-23 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/336; H01L21/28; H01L21/31; H01L21/8247; H01L29/792; H01L29/51; H01L27/115 【發(fā)明人】施彥豪; 吳旻達; 李士勤; 謝榮裕; 賴二琨; 謝光宇 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種形成非揮發(fā)性存儲器的方法，其特征在于， 其包括： 在半導體基板表面的一部分上方形成一底部絕緣 層； 在所述絕緣層上方形成一第一電荷捕獲層； 使所述底部絕緣層和所述第一電荷捕獲層經(jīng)受退 火；以及 在所述第一電荷捕獲層上方形成一第二電荷捕獲 層。 【當前權(quán)利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權(quán)人地址】臺灣省新竹科學工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】6 【被自引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】3.0 【家族引證次數(shù)】22.0 【家族被引證次數(shù)】26
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