【摘要】本實用新型涉及一種一體成型框架結構，利用一體成型具有鉚釘的邊框構件以一體成型具有鉚接孔的邊框構件，將其鉚接并以沖壓方式完成所需的一體成型框架；此框架結構無須使用傳統焊接、溶劑、黏劑或膠合程序來接合邊框構件，使用一般沖壓設備便可完成一
【摘要】 一種半導體架構，包括具有第一裝置區以及第二 裝置區的半導體基底。柵極層橫跨于半導體基底上的第一裝置 區以及第二裝置區，橫跨第一裝置區的柵極層的第一部與具有 第一型態的雜質執行摻雜，而橫跨于第二裝置區的柵極層的第 二部與具有第二型態的雜質執行摻雜。設置于柵極層上方的披 覆層用以避免于被披覆層覆蓋的柵極層上方形成金屬硅化物 結構，其中此披覆層于柵極層的第一部與第二部的接面處具有 至少一開口，并于此開口中設置金屬硅化層，以降低介于柵極 層的第一部與第二部之間接面的電阻。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610073502.2 【申請日】2006-04-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1956216A 【公開公告日】2007-05-02 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100470833C 【授權公告日】2009-03-18 【授權公告年份】2009.0 【發明人】廖忠志 【主權項內容】1.一種半導體架構，包括： 半導體基底，具有第一裝置區以及第二裝置區； 柵極層，橫跨于上述半導體基底上的上述第一裝置區以及第二裝置區， 其中橫跨上述第一裝置區的上述柵極層的第一部摻雜第一型態的雜質，而橫 跨于上述第二裝置區的上述柵極層的第二部摻雜第二型態的雜質； 披覆層，設置于上述柵極層上方，用以避免被上述披覆層覆蓋的柵極層 形成金屬硅化物結構，其中上述披覆層于上述柵極層的第一部與第二部的接 面處具有至少一開口；以及 金屬硅化層，設置于上述柵極層的上方的上述開口中。。： 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】1 【被自引次數】1.0 【家族被引證次數】141
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